安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 7.5 欧姆 @ 100mA,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 160mA | FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 36pF @ 25V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.35nC @ 5V | 漏源电压(Vdss) | 50V |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 445mW |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
BSS84AKS,115是一款高性能双P沟道场效应管(MOSFET),具备出色的电子开关性能,尤其适合在低电压、小功率应用中使用。该元器件由知名品牌Nexperia(安世)生产,旨在为各种电子设备提供高效、可靠的开关解决方案。BSS84AKS,115采用SC-70-6(SOT-363)的紧凑型封装,便于在各种电路板设计中实现空间节省。
导通电阻:在不同的Id和Vgs下,BSS84AKS,115提供最大7.5欧姆的导通电阻(在10V和100mA的条件下测量),确保能在良好的电流传导情况下工作,有效降低功耗。
连续漏极电流:该器件在25°C环境温度下的最大连续漏极电流为160mA,适合中低电流的应用需求。
漏源电压:BSS84AKS,115支持最高50V的漏源电压(Vdss),使其在相对宽泛的电压范围内稳定工作。
输入电容:在25V的条件下,其输入电容(Ciss)最大为36pF,适合高速开关操作,降低信号延迟。
栅极电荷:在5V的栅极驱动电压下,栅极电荷(Qg)最大为0.35nC,进一步提高了其在高频开关应用中的性能表现。
阈值电压:不同Id下,Vgs(th)的最大值为2.1V @ 250µA,确保该MOSFET在低电平信号下也能切换,适用于逻辑电平门应用。
BSS84AKS,115能够在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作,保证其在严苛环境下的可靠性和稳定性。这使得该元器件非常适合用于工业、汽车电子及航空航天等领域。
BSS84AKS,115的主要应用领域包括:
BSS84AKS,115采用6-TSSOP和SC-88(SOT-363)封装,这种小型化设计不仅节省了空间,同时也便于自动化贴片组装(SMT)工艺。其表面贴装型的设计便于在现代电路板中实现密集布局,支持高集成度的设计需求。
作为Nexperia的产品,BSS84AKS,115受到了良好的品控和技术支持,其稳定的性能、低功耗特性及广泛的应用场景,使其成为设计师和工程师们的首选元件。无论是在消费类电子、工业控制还是汽车电子等领域,BSS84AKS,115都能有效满足不同客户的需求。
BSS84AKS,115双P沟道MOSFET以其高效的电流开关性能、紧凑的封装设计及广泛的应用灵活性,成为电子设计中不可或缺的元器件。其在低功耗和高温稳定性方面的卓越表现,使其在自动化和智能电子产品的应用中尤为突出,为现代电子技术的发展提供了有力支持。