BSS84AKS,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSS84AKS,115

商品编码: BM0145088658
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SC-70-6(SOT-363)
包装 : 
编带
重量 : 
0.022g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 445mW 50V 160mA 2个P沟道 SC-70-6(SOT-363)
库存 :
31577(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.423
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.423
--
200+
¥0.273
--
1500+
¥0.237
--
3000+
¥0.21
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS84AKS,115参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.5 欧姆 @ 100mA,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)160mAFET 类型2 个 P 沟道(双)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)36pF @ 25V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)0.35nC @ 5V漏源电压(Vdss)50V
FET 功能逻辑电平门功率 - 最大值445mW
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250µA封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装6-TSSOP

BSS84AKS,115手册

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BSS84AKS,115概述

BSS84AKS,115 产品概述

产品简介

BSS84AKS,115是一款高性能双P沟道场效应管(MOSFET),具备出色的电子开关性能,尤其适合在低电压、小功率应用中使用。该元器件由知名品牌Nexperia(安世)生产,旨在为各种电子设备提供高效、可靠的开关解决方案。BSS84AKS,115采用SC-70-6(SOT-363)的紧凑型封装,便于在各种电路板设计中实现空间节省。

主要特性

  • 导通电阻:在不同的Id和Vgs下,BSS84AKS,115提供最大7.5欧姆的导通电阻(在10V和100mA的条件下测量),确保能在良好的电流传导情况下工作,有效降低功耗。

  • 连续漏极电流:该器件在25°C环境温度下的最大连续漏极电流为160mA,适合中低电流的应用需求。

  • 漏源电压:BSS84AKS,115支持最高50V的漏源电压(Vdss),使其在相对宽泛的电压范围内稳定工作。

  • 输入电容:在25V的条件下,其输入电容(Ciss)最大为36pF,适合高速开关操作,降低信号延迟。

  • 栅极电荷:在5V的栅极驱动电压下,栅极电荷(Qg)最大为0.35nC,进一步提高了其在高频开关应用中的性能表现。

  • 阈值电压:不同Id下,Vgs(th)的最大值为2.1V @ 250µA,确保该MOSFET在低电平信号下也能切换,适用于逻辑电平门应用。

温度范围

BSS84AKS,115能够在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作,保证其在严苛环境下的可靠性和稳定性。这使得该元器件非常适合用于工业、汽车电子及航空航天等领域。

应用场景

BSS84AKS,115的主要应用领域包括:

  • 开关电源:可用于输入和输出开关控制,以提高电源转换效率。
  • 电池管理系统:在电池充放电过程中,作为开关控制器有效调节电流流向。
  • 逻辑电路:由于其良好的低电平控制能力,适合在各种数字电路中用作逻辑开关。
  • 用于传感器:可在传感器信号处理和调理电路中实现信号开关功能。

封装与安装

BSS84AKS,115采用6-TSSOP和SC-88(SOT-363)封装,这种小型化设计不仅节省了空间,同时也便于自动化贴片组装(SMT)工艺。其表面贴装型的设计便于在现代电路板中实现密集布局,支持高集成度的设计需求。

竞争优势

作为Nexperia的产品,BSS84AKS,115受到了良好的品控和技术支持,其稳定的性能、低功耗特性及广泛的应用场景,使其成为设计师和工程师们的首选元件。无论是在消费类电子、工业控制还是汽车电子等领域,BSS84AKS,115都能有效满足不同客户的需求。

总结

BSS84AKS,115双P沟道MOSFET以其高效的电流开关性能、紧凑的封装设计及广泛的应用灵活性,成为电子设计中不可或缺的元器件。其在低功耗和高温稳定性方面的卓越表现,使其在自动化和智能电子产品的应用中尤为突出,为现代电子技术的发展提供了有力支持。