驱动配置 | 低端 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道,P 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 4V ~ 15V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 1V,2V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 4A,4A | 输入类型 | 非反相 |
上升/下降时间(典型值) | 20ns,15ns | 工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
UCC27424DR 是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款高性能低端MOSFET门驱动器,采用8-SOIC(Small Outline Integrated Circuit)封装,适用于对电力开关和驱动系统的高效控制。该产品的输入类型为非反相,这使得设计过程更加简单和直接,适用于多种应用场景,包括电源管理、开关电源转换以及马达控制等。
驱动配置与通道类型:UCC27424DR 具有两个独立的驱动通道,分别由N沟道和P沟道MOSFET驱动,可实现高效的电流驱动。
电源电压范围:该门驱动器支持宽广的电压供电范围,从4V到15V,使其在多种不同应用中具有良好的适应性。
逻辑电压:输入电压的逻辑高(VIH)和逻辑低(VIL)分别为2V和1V,符合TTL和CMOS逻辑的要求,能够与多种控制信号兼容。
电流输出能力:UCC27424DR 的峰值输出电流能力达到4A,无论是灌入还是拉出,都满足大多数MOSFET的控制需求,确保实现快速开关。
上升与下降时间:该器件的上升时间典型值为20ns,下降时间为15ns,这使得其能够在高频应用中实现较低的开关损耗,优化整体效率。
工作温度范围:UCC27424DR 的工作温度范围广泛,从-40°C到125°C,适应于高温和恶劣环境下的应用,增强了其可靠性。
安装与封装:UCC27424DR 采用表面贴装型(SMD)技术,封装为8-SOIC(0.154英寸,3.90mm宽),方便在现代电子电路设计中进行高密度布局。
UCC27424DR 门驱动器适用于多个行业和应用场景,包括但不限于:
UCC27424DR 是一款功能强大的MOSFET门驱动器,其在工作效率、环境适应性及设计灵活性上的优势,使其成为众多电子应用的不二之选。其出色的性能与多样的应用场景,使得该产品在现代电子技术中体现出重要的地位,适合于高效功率管理与控制的各类设计。无论是在工业驱动、通信设备,还是在消费者电子产品中,UCC27424DR 为设计工程师提供了一个可靠的解决方案,帮助实现更高效的电源管理和驱动性能。