注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRL3705NSTRLPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
D2PAK
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.8W；170W 55V 89A 1个N沟道 D2PAK(TO-263)
库存 :
65(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
6.87按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.87
--
100+
￥5.49
--
800+
￥5.09
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRL3705NSTRLPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 89A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 46A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 98nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3600pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），170W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRL3705NSTRLPBF手册
无数据
IRL3705NSTRLPBF概述
产品概述：IRL3705NSTRLPBF
IRL3705NSTRLPBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），由国际知名的半导体制造商英飞凌（Infineon）提供。该器件专为高效能电源管理、驱动应用及开关电路设计而开发，旨在满足现代电子设备对高整合、高效能和高可靠性的需求。
基本特性
电压和电流特点
- 漏源电压（Vdss）：IRL3705NSTRLPBF 能够承受高达 55V 的漏源电压。此特性使得该 MOSFET 非常适用于需要处理中高电压的场景，例如电源变换器和驱动电路。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时，该器件支持高达 89A 的连续漏极电流。这使得它适用于高功率负载的应用，例如电机驱动和高效开关电源。
开关特性
- 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅源电压（Vgs）下，IRL3705NSTRLPBF 的最大导通电阻为 10 毫欧（@ 46A）。低导通电阻有助于减少电能损耗，提高整机的能效，尤其在开关频率较高的应用中更为显著。
栅极驱动
- 驱动电压：该设备在 4V 和 10V 的驱动电压下表现出色，确保了在多种操作条件下的高效切换性能。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在 250µA 电流下，最大阈值电压为 2V，这意味着器件在较低的栅源电压下即可迅速导通，提升了系统的响应速度。
输出特性
- 输入电容（Ciss）：随着不同的漏源电压变化，最大输入电容为 3600pF（@ 25V）。较低的输入电容可减少驱动电路的功耗，优化开关速度。
功率耗散
- 最大功率耗散：在环境温度下（Ta）最大可达 3.8W，而在结温下（Tc）则可达 170W。这使得该器件能在更高的电流和更严苛的环境条件下稳定运行。
温度范围
- 工作温度：IRL3705NSTRLPBF 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，充分满足汽车和工业应用等极端条件下的需求。
封装与安装方式
IRL3705NSTRLPBF 的封装采用 D2PAK（TO-263-3），这种表面贴装型封装方式不仅可以节省PCB空间，还能够提升设备的散热性能，特别适合于高功率应用。此外，该高效散热设计可以确保器件在执行高负载时的稳定性和可靠性。
应用场景
IRL3705NSTRLPBF 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 电机驱动器
- DC-DC 转换器
- 汽车电子（例如电动汽车的驱动系统）
- 逆变器和可再生能源系统
- 机器制造与自动化控制系统
结论
IRL3705NSTRLPBF 是一款在高效能和稳定性方面表现突出的 N 通道 MOSFET，结合其出色的电气特性与广泛的应用潜力，使其成为诸多电子设计中的理想选择。无论是在高功率应用还是在严苛的工作环境下，IRL3705NSTRLPBF 都能提供可靠且高效的解决方案，是现代电子设备中不可或缺的重要元件。