功率(Pd) | 125W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 23pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.2mΩ@10V,40A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 65nC |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 4.2nF | 连续漏极电流(Id) | 80A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
产品概述:GL80N10A4 N沟道MOSFET
一、产品简介
GL80N10A4是一款由光磊(GL)公司推出的高性能N沟道场效应管(MOSFET),其工作电压可达100V,最大承载电流可达80A,额定功率为125W。这款MOSFET采用TO-252封装,具有优良的热性能和稳定的电气特性,非常适合高功率电子设备、开关电源和马达驱动等应用场景。
二、产品特性
高功率处理能力:GL80N10A4具有125W的功率处理能力,能够应对高负载情况。无论是在高频开关信号还是在持续电流情况下,它都能够保持稳定的性能。
优越的电气性能:该器件的最大栅源电压(Vgs)可达到±20V,而阈值电压(Vgs(th))通常在2V到4V之间,具有较低的开关损耗和导通电阻(Rds(on))。这使得其在操作时更加高效,减少了不必要的能量损耗。
宽电压范围:具备最高工作电压为100V的能力,使得GL80N10A4能够应用于多个高电压领域,包括LED驱动、DC-DC转换器和电动机驱动等。
强大的热管理性能:该MOSFET采用TO-252封装,具有出色的散热特性,能够有效降低工作温度,延长产品寿命。TO-252封装使得安装过程简便,确保了良好的接触和电气连接。
高效开关特性:GL80N10A4在频率高达数十kHz的应用中表现出色,适合用于高频开关电源与逆变器中,能够提高系统效率并降低电力损耗。
低导通电阻:其导通电阻(Rds(on))较低,可以有效降低在高载流条件下的发热,提高电源的整体效率。
三、主要应用领域
GL80N10A4 N沟道MOSFET广泛应用于多个领域,具体包括但不限于:
开关电源:其优越的开关特性使得GL80N10A4可以用于开关电源的主开关,提升能量转换效率并降低损耗。
马达驱动:在电动机驱动的控制电路中,MOSFET可以有效控制电动机的启停、正反转及速度调节。GL80N10A4的高电流承载能力使其成为驱动大功率电机的理想选择。
LED驱动:在LED照明系统中,GL80N10A4可用于高效驱动LED灯具,提升整体光源输出的稳定性和效率。
逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的电力变换设备中,GL80N10A4的低导通电阻和高开关速度能够优化系统性能,提供持续可靠的电力输出。
电源管理:在电源管理电路中,MOSFET可用于过温、过电流保护等功能,保证电路的安全稳定运行。
四、总结
GL80N10A4是一款兼具高性能与多用途特性的N沟道MOSFET,凭借其优越的电气参数、散热性能以及稳定的工作特性,使得该器件在现代电子设备中扮演着至关重要的角色。无论是开关电源、马达驱动还是LED照明等应用场合,GL80N10A4都能提供出色的表现,助力各种电子设备实现高效、可靠的运行。对于设计工程师及相关电子产品开发人员而言,选择GL80N10A4无疑是提升产品性能的明智之举。