IRFS31N20DTRLP
IRFS31N20DTRLP参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 82 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 107nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2370pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），200W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRFS31N20DTRLP手册
IRFS31N20DTRLP概述
产品概述：IRFS31N20DTRLP
基本信息
IRFS31N20DTRLP是一款由著名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产的N通道MOSFET，广泛应用于电力电子领域。这款器件采用表面贴装型（SMD）封装，封装类型为D2PAK，特别设计以满足高功率和高效率的应用需求。其主要特点包括高漏极源电压（Vdss）高达200V、连续漏极电流（Id）为31A，以及极低的导通电阻（Rds(On)），使其特别适合于开关电源、逆变器、功率管理电路等场景。
结构特性
IRFS31N20DTRLP的结构基于先进的金属氧化物半导体技术（MOSFET），这使得其在开关频率高和电流密度大的应用中具备优异性能。该器件的Vgs (门源电压) 最大可承受值为±30V，确保其在各种工作环境下的稳定性和安全性。同时，其温度范围在-55°C到175°C之间，进一步扩展了其应用领域，特别适用于苛刻的工业环境。
性能参数
该器件在不同条件下具有优异的电气性能。其导通电阻（Rds(On)）在10V的驱动电压下，对于18A的电流最大可达82毫欧，这在高频率和高电流条件下显著减小了功率损耗，提高了整体效率。此外，器件的输入电容（Ciss）最大为2370pF，提供了良好的开关特性，适合于快速开关操作。
电流阈值（Vgs(th)）最大值为5.5V，代表其在较低电压下即可有效通导，增加了设计时的灵活性。对栅极充电电量（Qg）最大值为107nC，这一参数对高速开关应用尤为重要，意味着驱动电路所需的能量相对较低，有助于提高整体系统效率。
功率管理
IRFS31N20DTRLP的功率耗散能力极为出色，在环境温度（Ta）下可达到3.1W，在结温（Tc）情况下则可处理高达200W的功率。这使得该MOSFET能够在高功率应用中有效工作，极大地提高了系统的可靠性与稳定性，尤其适用于驱动电机、电源管理和电子负载等场合。
应用领域
IRFS31N20DTRLP适用的应用领域相当广泛。其高耐压和高电流能力使其非常适合于：
- 电源管理和开关电源（SMPS）：有效降低转换损耗，保证高效率。
- 直流-直流转换器：在输入和输出电压范围高的环境下工作。
- 逆变器：在太阳能逆变器和UPS系统中，高效能地转换电能。
- 电动机驱动：广泛用于电动机控制系统中，尤其是无刷直流电动机（BLDC）。
- 自动化与控制系统：高效的功率开关解决方案，满足工业自动化设备对功率管理的要求。
结论
综上所述，IRFS31N20DTRLP是一款功能强大、性能优异的N通道MOSFET，其在电流承载能力、导通电阻、功率管理方面的卓越性能，使其在众多电子产品和系统设计中均能发挥关键作用。随着应用需求持续增长，IRFS31N20DTRLP将继续在现代电力电子产品中扮演重要角色，为工程师和设计师提供安全、可靠和高效的解决方案。