IPB044N15N5ATMA1
IPB044N15N5ATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 174A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 8V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.4 毫欧 @ 87A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.6V @ 264µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 100nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8000pF @ 75V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO263-7 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
IPB044N15N5ATMA1手册
IPB044N15N5ATMA1概述
产品概述：IPB044N15N5ATMA1 MOSFET
IPB044N15N5ATMA1 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动和其他高电流、高电压的开关应用。其设计理念旨在提供优异的导电性能与热管理能力，满足现代电子产品对高能效、低功耗的需求。
主要参数与特性
高电压能力：该 MOSFET 的漏源电压（Vdss）高达 150V，使其适用于多种中高压应用环境，能够承受一定的过电压情况。
超高电流承载能力：在 25°C 的环境温度下，IPB044N15N5ATMA1 的连续漏极电流（Id）可达 174A（在晶体管结温 Tc 下）。这种高电流能力使其在需要大功率传输的电路中表现出色。
低导通电阻：该器件在 10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻（Rds(on)）为 4.4 毫欧（在 87A 时），提供了卓越的电流传输性能，极大地减少了功率损耗。这对于降低整体电路的发热和提高能效至关重要。
快速开关特性：电路的开关频率常常决定了整体效率，而该器件的栅极电荷（Qg）在 10V 时最大为 100nC，有助于实现快速的开关操作，从而降低开关损耗。
高工作温度范围：IPB044N15N5ATMA1 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 175°C，适用于恶劣环境下的应用。例如，汽车电子、航空航天和工业自动化等领域。
多种封装形式：该 MOSFET 采用 PG-TO263-7 封装，这种表面贴装型封装有助于改善散热性能与电路设计的灵活性。同时，其兼容 D²Pak 和 TO-263CA 封装类型，方便设计师根据具体的设计需求进行选择。
温度和电流特性：该元器件在不同的 Vgs（栅源电压）下具有较为稳定的栅极阈值电压（Vgs(th)），最大值为 4.6V @ 264µA，这表明其在开关状态的可靠性。此外，其散热能力设计确保最长久的使用寿命。
应用领域
由于其卓越的电气特性与结构设计，IPB044N15N5ATMA1 在多种应用场合中都有极高的适用性，包括但不限于：
- 电源管理系统：可用于高效 DC-DC 转换器、电源供应器等。
- 电动机驱动：在高电流电机和变频器控制中表现优异。
- 消费电子：适用于大功率的LED驱动、快速充电器等。
- 电动车及混合动力汽车：在电动传动系统中应用广泛。
总结
IPB044N15N5ATMA1 是一款高效能、高可靠性的 N 通道 MOSFET，它以出色的电气特性和宽广的工作环境适用性，成为设计师在多种高功耗电路的重要选择。随着电子产品对能效和兼容性要求的提升，该器件将继续发挥重要作用，并推动相关技术的发展与应用。