功率(Pd) | 100mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 15pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 520mΩ@4.5V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 漏源电压(Vdss) | 20V |
类型 | 1个P沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 170pF |
连续漏极电流(Id) | 660mA | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 350mV@250uA |
CJAA3139K 是一款由江苏长电(CJ)公司生产的 P 沟道场效应管(MOSFET),专为低电压和中等电流应用而设计。这款器件以其优异的性能和可靠性,广泛应用于开关电源、负载驱动以及电机控制等电子电路中。
特性参数:
封装类型:WBFBP-03E 该封装设计旨在提高散热效率和电路板的密度,适合多种PCB设计要求,简化了在狭小空间内的元件布局。
工作温度范围:CJAA3139K 可以在宽广的温度范围内稳定工作,确保在极端环境条件下的可靠性。
CJAA3139K 适合多种电子应用,尤其是在电源管理和信号控制领域。以下是一些具体应用案例:
开关电源:
负载驱动:
电源开关:
电机控制应用:
低导通电阻 (R_DS(on)): 该MOSFET 的低导通电阻确保了在导通状态时的功率损耗较低,从而提高了整体电路的能效。
快速开关能力: 该器件具有快速切换的特点,适合高频开关应用,能够有效提高电源转换的效率。
简化驱动电路: P沟道MOSFET 的控制简便,减少了额外的保护电路需求,简化了整体设计。
散热设计:尽管该 MOSFET 在正常工作条件下非常高效,但在大负载条件下,仍需关注器件的散热设计,确保其工作在安全温度范围内。
电气隔离:在设计电路时,确保高压和低压电路之间的有效隔离,以防止对 MOSFET 的意外损毁。
控制电压:用户在控制 MOSFET 开关时,需仔细设计控制信号,以避免过电压对器件造成损害。
CJAA3139K 作为一款高性能的 P 沟道场效应管,凭借其合理的电气特性和灵活的应用范围,被广泛应用于各类电子设备和系统中。无论是在开关电源设计还是电动驱动控制领域,CJAA3139K 都能提供强大的支持和优秀的性能,成为设计工程师的理想选择。通过合理的电路设计与匹配,CJAA3139K 能够在多种应用场景中展现出卓越的性能。