CJAA3139K 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

CJAA3139K

商品编码: BM0142640409
品牌 : 
CJ(江苏长电/长晶)
封装 : 
WBFBP-03E
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.1V 20V 660mA 1个P沟道 WBFBP-03E
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.513
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.513
--
100+
¥0.354
--
500+
¥0.321
--
2500+
¥0.297
--
5000+
¥0.278
--
10000+
¥0.26
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

CJAA3139K参数

功率(Pd)100mW反向传输电容(Crss@Vds)15pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)520mΩ@4.5V
工作温度-55℃~+150℃漏源电压(Vdss)20V
类型1个P沟道输入电容(Ciss@Vds)170pF
连续漏极电流(Id)660mA阈值电压(Vgs(th)@Id)350mV@250uA

CJAA3139K手册

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CJAA3139K概述

CJAA3139K 产品概述

概述

CJAA3139K 是一款由江苏长电(CJ)公司生产的 P 沟道场效应管(MOSFET),专为低电压和中等电流应用而设计。这款器件以其优异的性能和可靠性,广泛应用于开关电源、负载驱动以及电机控制等电子电路中。

产品特性

  • 特性参数

    • 击穿电压 (V_BD):1.1V 至 20V
    • 漏极电流 (I_D):最大660mA
    • 类型:P沟道场效应管
  • 封装类型:WBFBP-03E 该封装设计旨在提高散热效率和电路板的密度,适合多种PCB设计要求,简化了在狭小空间内的元件布局。

  • 工作温度范围:CJAA3139K 可以在宽广的温度范围内稳定工作,确保在极端环境条件下的可靠性。

应用领域

CJAA3139K 适合多种电子应用,尤其是在电源管理和信号控制领域。以下是一些具体应用案例:

  1. 开关电源

    • 在开关电源电路中,该MOSFET可以作为开关元件,控制电源的开启和关闭,保证电源转换的效率与稳定性。
  2. 负载驱动

    • 该场效应管可用于驱动各种负载,如LED灯、继电器和小型电机等,能够高效地转换电能,降低功耗。
  3. 电源开关

    • 可以作为电源的开关元件,通过简单的控制电压即可实现电源的强手动或自动控制。
  4. 电机控制应用

    • 在直流电机控制电路中,CJAA3139K 可以提供有效的开关操作,实现电机的正转、反转和调速控制。

性能优势

  • 低导通电阻 (R_DS(on)): 该MOSFET 的低导通电阻确保了在导通状态时的功率损耗较低,从而提高了整体电路的能效。

  • 快速开关能力: 该器件具有快速切换的特点,适合高频开关应用,能够有效提高电源转换的效率。

  • 简化驱动电路: P沟道MOSFET 的控制简便,减少了额外的保护电路需求,简化了整体设计。

安装和使用注意事项

  • 散热设计:尽管该 MOSFET 在正常工作条件下非常高效,但在大负载条件下,仍需关注器件的散热设计,确保其工作在安全温度范围内。

  • 电气隔离:在设计电路时,确保高压和低压电路之间的有效隔离,以防止对 MOSFET 的意外损毁。

  • 控制电压:用户在控制 MOSFET 开关时,需仔细设计控制信号,以避免过电压对器件造成损害。

结论

CJAA3139K 作为一款高性能的 P 沟道场效应管,凭借其合理的电气特性和灵活的应用范围,被广泛应用于各类电子设备和系统中。无论是在开关电源设计还是电动驱动控制领域,CJAA3139K 都能提供强大的支持和优秀的性能,成为设计工程师的理想选择。通过合理的电路设计与匹配,CJAA3139K 能够在多种应用场景中展现出卓越的性能。