FDMS86300

FDMS86300 产品概述

概述

FDMS86300 是一款先进的 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由全球知名半导体解决方案供应商安森美（ON Semiconductor）生产。该器件专为高效能电源管理、 DC-DC 转换器和其他高电流应用设计，具备卓越的导通性能和低功耗特性，为电子设备提供可靠的性能支撑。

关键参数

1. 电气特性：

   • 漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 80V，适用于多种高电压应用，尤其是在电池管理以及工业设备中。
   • 连续漏极电流（Id）: 在典型工作环境下，FDMS86300 可提供高达 19A 的连续漏极电流，且在温度控制良好的情况下（如Tc），可承受高达 80A 的电流，这使得它在需要高电流流过的应用中非常理想。
   • 导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为 3.9 毫欧，确保在开关状态下的高导电性以降低功耗。

2. 栅极驱动:

   • 驱动电压: 该器件支持的驱动电压范围为 8V 至 10V，使其兼容多种驱动电路设计。
   • 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 在 250µA 的条件下，最大栅极阈值电压为 4.5V，表明 device's 电源开关在相对较低电压下可以迅速启动，从而提高了应用的灵活性和响应能力。
   • 栅极电荷（Qg）: 可在 10V 条件下工作的栅极电荷最大值为 86nC，进一步确保其在高频开关应用中的高效性。

3. 其它技术特性:

   • 输入电容（Ciss）: 在 40V 时，最大输入电容为 7082pF，这样的特性能够更好地适应高频应用下的开关行为。
   • 功率耗散: 在自然环境下（Ta）最大功率耗散为 2.5W，而在结温控制良好的情况下（Tc）可达到 104W，显示出其在高温环境下的良好耐受性。

4. 温度和封装:

   • 工作温度范围: FDMS86300 工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应了严苛环境下的稳定工作要求。
   • 封装类型: 该设备采用 8-PQFN（5x6）表面贴装封装，减少了空间的需求，同时提高了散热性能，非常适合小型化电子设计。

应用场景

FDMS86300 适用于多种应用领域，包括但不限于：

• DC-DC 转换器: 设备具备高效率和快速响应能力，适合用于开关电源和电池供电系统。
• 电源管理: 可在各种电源管理模块中安装，如自动驾驶汽车、消费电子产品及工业自动化设备。
• 高功率应用: 由于其高电流承载能力，此MOSFET在电机驱动、整流和电压转换应用中表现出色。

结论

FDMS86300 是一款性能卓越且可靠的 N 通道 MOSFET，凭借其高导电性、宽广的工作温度范围和卓越的电气特性，广泛适用于需要高效电源解决方案的各类电子设备。其紧凑的封装设计使其在现代小型化电子产品中占有一席之地，是工程师们理想的选择之一。