W25Q128JVSIQ TR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

W25Q128JVSIQ TR

商品编码: BM0141456762
品牌 : 
WINBOND(华邦)
封装 : 
8-SOIC
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
NOR FLASH 128Mbit SPI 3ms 2.7V~3.6V SOIC-8-208mil
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.38
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.38
--
100+
¥2.81
--
1000+
¥2.57
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

W25Q128JVSIQ TR参数

存储器接口SPI - 四 I/O, QPI, DTR安装类型表面贴装型
存储容量128Mb (16M x 8)时钟频率133MHz
写周期时间 - 字,页3ms工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
电压 - 供电2.7V ~ 3.6V技术FLASH - NOR
存储器格式闪存存储器类型非易失

W25Q128JVSIQ TR手册

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无数据

W25Q128JVSIQ TR概述

W25Q128JVSIQ TR 产品概述

一、产品简介

W25Q128JVSIQ TR 是由华邦电子 (Winbond) 提供的高性能 NOR 闪存芯片,具有 128 Mbit(16M x 8)的存储容量。该器件使用 SPI(Serial Peripheral Interface)接口,具有四个 I/O 通道,使数据传输更加高效。同时,该器件支持 QPI(Quad Peripheral Interface)和 DTR(Dual Transfer Rate)模式,进一步提升了读写性能。W25Q128JVSIQ TR 采用表面贴装型(SMD)封装,方便在各种电路板设计中的使用。

二、技术规格

  1. 存储器容量:128 Mbit (16M x 8),满足大容量数据存储的需求。
  2. 工作温度:可靠运行在 -40°C 到 85°C 的广泛温度范围,适用于工业和汽车等恶劣环境。
  3. 供电电压:工作电压在 2.7V 至 3.6V 之间,具备较低的功耗,适合更广泛的应用场合。
  4. 时钟频率:支持最高 133MHz 的时钟频率,确保快速的数据传输。
  5. 写周期时间:字和页的写周期时间仅为 3ms,提升了数据写入效率。
  6. 封装类型:以 8-SOIC (208mil) 封装提供,便于在各类电子设备中进行简单装配。

三、技术特点

  • 非易失性存储:W25Q128JVSIQ TR 是一款非易失性存储器,即使在断电情况下也能保持数据的完整性,适合对数据持久性有要求的应用。
  • 高速访问:采用 NOR 闪存技术,提供随机访问的能力,使得在特定数据位置的读取速度更快。
  • 多模式支持:除了标准的 SPI 模式,该器件还支持 QPI 和 DTR 模式,允许多个数据线路并行传输,提高吞吐量,特别适合大规模数据处理应用。

四、应用领域

W25Q128JVSIQ TR 可广泛应用于各类嵌入式系统和电子设备,例如:

  • 汽车电子:用于存储控制程序和车载信息,满足汽车对存储器的高可靠性与快速响应的需求。
  • 工业自动化:在工业设备中使用,保证数据在极端环境下的安全存储。
  • 消费电子:智能手机、平板电脑、数字相机等消费类电子产品中作为应用程序和数据的存储方案。
  • 通信设备:用于路由器、交换机等网络设备,存储固件和配置文件。

五、总结

W25Q128JVSIQ TR 是一款高性能的 NOR 闪存器件,具有较大存储容量、快速数据访问和可靠性强等优点,适合多种应用场景。得益于其支持的多种接口模式及超宽的工作温度范围,该器件能够满足现代电子设备对存储器的高性能需求。其合理的电压范围和低功耗设计,使得该产品在各种电池供电的便携设备中表现尤为出色。随着物联网和智能设备的普及,W25Q128JVSIQ TR 作为可靠的存储解决方案,将在未来的科技发展中扮演重要的角色。