晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 600mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1V @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V |
功率 - 最大值 | 330mW | 频率 - 跃迁 | 300MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
产品简介
SMBT2222AE6327HTSA1是一款高性能的NPN型晶体管,属于混合信号器件系列,由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)开发。该器件专为各种电子应用设计,能够提供优良的电流增益、良好的开关特性及可靠的热稳定性,适应高频和高温环境。这使得SMBT2222AE6327HTSA1在消费电子、工业控制以及通信设备等多个领域有着广泛的应用。
电气特性
集电极电流(Ic):该晶体管的最大集电极电流可达600mA,适合驱动大功率负载,确保在各种应用场景下都能高效工作。
电压特性:SMBT2222AE6327HTSA1的集射极击穿电压(Vce(max))为40V,能够承受较高的电压条件,适用于需要电压保护的电路。
饱和压降:在50mA和500mA的工作条件下,Vce饱和压降(Vce(sat))的最大值为1V,表明在开关操作中能够有效减小功耗,同时确保高效的信号传输。
电流增益(hFE):在150mA电流及10V电压条件下,最小DC电流增益为100,保证了增益性能,使其在放大信号时无需过多级别的放大,能提高整体电路效率。
截止电流(ICBO):集电极截止电流的最大值为10nA,低截止电流特性使得该元器件在静态条件下表现出出色的稳定性和低功耗特性,适合用于待机功耗敏感的应用。
功率处理能力:SMBT2222AE6327HTSA1的最大功率达330mW,适合处理多种功率要求,能够在不同的工作电流下稳定运行。
频率特性:具备300MHz的跃迁频率,确保其在高速开关应用中具备优秀的响应能力,适合高频操作环境。
机械特性
封装类型:SMBT2222AE6327HTSA1采用SOT-23-3表面贴装型封装,体积小、引脚间距紧凑,能够有效节省电路板空间,适合现代紧凑型设计需求。
工作温度:该器件的工作温度可达到150°C(TJ),使得它在高温环境下仍能保持稳定运行,特别适合工业和严苛环境应用。
应用领域
SMBT2222AE6327HTSA1广泛应用于各种电子设备和电路设计中,如:
总结
SMBT2222AE6327HTSA1是一款设计优良、性能卓越的NPN型晶体管,凭借其优异的电气特性和可靠的热稳定性能,在多种应用中展示了卓越的表现。作为小型化设计的一部分,该器件在现代电子产品中发挥着重要的作用,适合在瞬息万变的技术环境中应用。无论是在消费电子、工业应用还是通信设备中,SMBT2222AE6327HTSA1都能提供长期的可靠性及稳定的性能,是设计师们值得信赖的选择。