SI4056ADY-T1-GE3
SI4056ADY-T1-GE3参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.9A（Ta），8.3A（Tc） | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 29.2 毫欧 @ 5.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽） | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1330pF @ 50V |
SI4056ADY-T1-GE3手册
SI4056ADY-T1-GE3概述
产品概述：SI4056ADY-T1-GE3 N通道MOSFET
制造商背景 SI4056ADY-T1-GE3 是由Vishay Siliconix生产的一款高性能N通道MOSFET，作为TrenchFET®系列的一部分，Vishay Siliconix专注于提供先进的半导体解决方案，该系列产品以其出色的导通性能和低功耗特性而备受推崇。Vishay在全球市场上享有盛誉，其电子元件广泛应用于各种领域，包括消费电子、通信设备、工业控制系统等。
产品描述 SI4056ADY-T1-GE3为N通道静态场效应晶体管，采用金属氧化物半导体（MOSFET）技术。这款产品具有良好的电气特性，特别适合于开关电源、直流电机驱动器、高频开关等应用。其最大漏源电压（Vds）为100V，确保其在高电压环境中的性能稳定。该MOSFET的持续漏极电流在25°C条件下为5.9A（环境温度）和8.3A（结温），显示出其出色的电流承载能力。
关键参数
- 导通电阻（Rds(on)）：SI4056ADY-T1-GE3在5.9A的漏极电流及10V栅源电压的条件下，导通电阻最大值为29.2毫欧。这一特性使其在长时间工作的情况下能够降低功耗，提高整体系统的效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：该器件在250µA时的最大栅极阈值电压为2.5V，确保能够在较低的栅源电压下实现开启状态，适合各种控制电路的应用。
- 功率损耗：SI4056ADY-T1-GE3在环境温度下的最大功率耗散为2.5W，而在结温条件下可达到5W，显示了其良好的热管理能力。
工作环境 SI4056ADY-T1-GE3的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适合于高温或极端冷却的应用场景。这一温度范围使其成为汽车、工业设备与高可靠性通讯系统中的理想选择。
封装与安装 该MOSFET采用8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）封装，适合表面贴装（SMD），有助于提高电路板的集成度，节约空间。卷带（TR）包装形式方便批量生产与自动化焊接，是现代电子产品制造中的理想选择。
电气特性
- 栅极电荷（Qg）：在10V栅源电压下，栅极电荷最大值为29nC，为高速开关设计提供了支持，实现有效的频率切换并减少开关损耗。
- 输入电容（Ciss）：在50V条件下，输入电容最大值为1330pF，为电路设计师提供灵活的驱动方式，确保驱动电路的稳定性与高效性。
应用范围 由于其出色的电气特性和热性能，SI4056ADY-T1-GE3适合用于多种应用场合，包括但不限于：
- DC-DC转换器
- 电机驱动
- 高频开关电源
- 功率放大器
- 电池管理系统
总结 SI4056ADY-T1-GE3是一款优质的N通道MOSFET，凭借其出色的电流承载能力、低导通电阻及宽广的工作温度范围，被广泛应用于电子设备的多个领域。Vishay Siliconix的这一产品为设计工程师提供了一个可靠、高效的选择，适合多种现代电子产品需求，是提升系统效率与性能的理想解决方案。无论是在工业应用，还是在消费电子产品中，SI4056ADY-T1-GE3都能够提供卓越的性能，确保其在实际应用中的稳定运行。