制造商 | STMicroelectronics | 包装 | 管件 |
零件状态 | 有源 | 二极管类型 | 标准 |
电流 - 平均整流 (Io) | 8A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220Ins | 工作温度 - 结 | 175°C(最大) |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 1000V | 反向恢复时间 (trr) | 85ns |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 2V @ 8A | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 1000V |
基本产品编号 | STTH810 |
制造商: STMicroelectronics
封装形式: TO-220
元器件状态: 有源元件
产品类型: 快恢复二极管
基本产品编号: STTH810
STTH810DI是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能快恢复二极管,采用通孔安装,封装形式为TO-220。本款二极管的优势在于其优秀的电流承载能力和高效的整流性能,适合于各种需要整流的应用场合。在当前日益复杂的电子系统中,STTH810DI的快速恢复特性为增加系统可靠性和效率提供了可能。
电流承载能力: STTH810DI的平均整流电流(Io)为8A,能够支持较高的负载电流。这使得该二极管在高功率应用中具备良好的实际应用能力。
反向电压: 该二极管具有高达1000V的最大直流反向电压(Vr),意味着它可以在高电压环境中稳定工作,适合高压电源和电机驱动等应用。
正向电压: STTH810DI在8A的工作条件下,正向电压(Vf)为2V,低正向压降改善了能量转换效率和散热性能,适合用于要求低功耗的电路设计。
反向泄漏电流: 在1000V的反向电压下,STTH810DI的反向泄漏电流(Ir)仅为5µA,这在高反向电压工作下保持了较低的能量损失,有助于提高整流器的整体性能。
恢复特性: STTH810DI的反向恢复时间(trr)为85ns,具有快速恢复特性,这对于开关电源和高频电路中尤为关键,当电流迅速改变时,该二极管能迅速适应变化,减少能量损耗和热量产生。
工作温度: 该器件的工作温度范围在结温下可达175°C,能够在苛刻的环境下稳定工作,适应高温条件。
STTH810DI因其优越的性能,适合广泛的应用场合,包括但不限于:
STTH810DI快恢复二极管以其高电流承载能力和出色的电气性能,成为诸多应用领域的理想选择。其低正向压降和快速恢复时间不仅提高了设备效率,同时延长了二极管的使用寿命。凭借175°C的高工作温度限制和1000V的反向耐压,STTH810DI在严酷的工作环境下也能够提供稳定的性能,令其在高压、高负载的电子设计中得到了广泛使用。
选择STTH810DI,无疑是寻求可靠性和效率的优质解决方案的最佳选择,为您的设计提供强有力的支持。