驱动配置 | 低端 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道,P 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 4.5V ~ 15V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 1V,2V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 4A,4A | 输入类型 | 反相 |
上升/下降时间(典型值) | 20ns,15ns | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
UCC27323DR是一款由德州仪器(Texas Instruments)生产的高性能栅极驱动芯片,专为快速开关应用设计。该器件具有低端驱动配置和独立的通道设计,使其能够在各种电源管理和功率转换电路中发挥关键作用。其封装形式为SOIC-8,便于在现代电子设备中进行表面贴装。
驱动配置与通道类型: UCC27323DR采用低端驱动配置,适合于推动N沟道和P沟道MOSFET。其设计使得应用更加灵活,能够满足多种电路架构的需求,尤其是在高频开关电源和电机驱动器等场合。
电压和逻辑电平: 器件支持广泛的供电电压范围,从4.5V到15V,能够适应不同的系统电源要求。此外,其逻辑电压范围为VIL = 1V和VIH = 2V,确保信号的可靠性和稳定性。
输出电流能力: UCC27323DR可以提供高达4A的峰值输出电流,无论是在灌入还是拉出状态。这使得该驱动器能够有效控制大功率MOSFET,从而实现快速的开关速度和改善整体性能。
开关速度: UCC27323DR的典型上升时间为20ns,下降时间为15ns,这意味着它能够快速切换状态,适合高频操作,减少了开关损耗。这一特性对于提升功率转换效率尤为重要,尤其是在开关电源(SMPS)和谐振变换器中应用广泛。
工作温度范围: 器件的工作温度范围为-55°C到150°C,适应极端环境条件,保证在工业和汽车应用中的稳定工作。这种高可靠性设计通过选用优质材料和先进的工艺实现,确保UCC27323DR能够长时间稳定运行。
输入类型和反相功能: UCC27323DR采用反相输入方式,这种设计有助于简化电路设计,使设计工程师在设计逻辑时更加灵活,同时确保驱动信号的准确传递。
UCC27323DR的设计使其广泛应用于各种行业,特别是在需要迅速开启和关闭开关元件的应用中,它的优势尤为突出。主要应用包括但不限于:
UCC27323DR是一款极具竞争力的栅极驱动芯片,凭借其优异的参数配置和广泛的适用性,满足了当今市场对高效能、可靠性的需求。结合德州仪器的强大技术背景和持续创新,UCC27323DR将为各种高性能电子设备提供持久的支持。作为设计工程师,在选择栅极驱动器时,UCC27323DR无疑是一个值得考虑的优质选择。