IRFP1405PBF
IRFP1405PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 95A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.3 毫欧 @ 95A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 180nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5600pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 310W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP1405PBF手册
IRFP1405PBF概述
产品概述：IRFP1405PBF N通道MOSFET
概述
IRFP1405PBF是由英飞凌科技（Infineon Technologies）制造的一款高性能N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），以其优越的电气特性和广泛的应用可能性著称。这款MOSFET在额定漏源电压(Vdss)为55V，连续漏极电流(Id)高达95A的条件下，展现了卓越的导通性能和散热能力。其设计特别适合用于高自动化电路、电源管理、开关电源和电动机控制等领域。
主要特性
高电流承载能力：IRFP1405PBF能够在高达95A的电流条件下稳定工作，极大地满足了高功率需求的应用场景，如变频器和电动机驱动。
低导通电阻：在10V的栅极驱动电压下，IRFP1405PBF的最大导通电阻(Rds On)仅为5.3毫欧，降低了功耗和热量生成，提升了系统的整体效率。
宽工作温度范围：该MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，能够在极端环境下稳定工作，充分满足高可靠性要求的应用。
高功率耗散能力：IRFP1405PBF的最大功率耗散可达310W（以结温Tc为标准），对于高压高电流的开关应用提供了充足的热管理空间。
大栅极电荷：在10V的栅极驱动条件下，这款MOSFET的栅极电荷(Qg)为180nC。这使得其在高频率开关应用中表现优异，降低了开关损耗。
优良的节能性能：IRFP1405PBF的设计充分考虑了节能性能，适合用于要求高效率的电源转换应用。
应用领域
IRFP1405PBF广泛应用于多个重要领域：
- 电源管理与转换：如DC-DC转换器、开关电源等，能够高效地处理电能，并降低转换损耗。
- 电动机驱动：适用于各种类型的电机控制，包括无刷直流电机（BLDC）、步进电机等，提供可靠的电流控制。
- 电力电子设备：在逆变器、电压源与电流源转换器等设备中，IRFP1405PBF可以有效提高系统效率。
- 汽车电子：在电动汽车和混合动力汽车中，承载高负载电流，实现强劲的驱动性能。
封装与安装
IRFP1405PBF采用TO-247AC-3大功率封装类型，适合通孔安装，具有优良的散热特性和机械强度。此封装设计使得MOSFET能够在最小化空间占用的同时，保持良好的散热性能，适应各种电路设计需求。
结束语
综上所述，IRFP1405PBF以其强大的电气性能、广泛的工作温度范围及出色的功率耗散能力，成为市场上高功率应用领域中备受青睐的MOSFET选择之一。无论是在电源管理、电动机驱动还是高频开关应用中，IRFP1405PBF都能为设计工程师提供可靠的解决方案和卓越的性能表现，帮助实现高效能和高可靠性的电气系统。