MUN5233DW1T1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MUN5233DW1T1G

商品编码: BM0135740376
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SC-88/SC70-6/SOT-363
包装 : 
编带
重量 : 
0.027g
描述 : 
数字晶体管 250mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-363
库存 :
229(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.403
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.403
--
200+
¥0.26
--
1500+
¥0.226
--
3000+
¥0.2
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MUN5233DW1T1G参数

晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 1mA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
功率 - 最大值250mW安装类型表面贴装型
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装SC-88/SC70-6/SOT-363

MUN5233DW1T1G手册

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MUN5233DW1T1G概述

产品概述:MUN5233DW1T1G

MUN5233DW1T1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的数字晶体管,采用先进的表面贴装技术,具有出色的电气性能和广泛的应用场景。这款晶体管属双 NPN 预偏压式设计,适用于需要精确控制的电子电路,尤其是在低功耗和小型设备中表现优异。

主要特性

  1. 晶体管结构:MUN5233DW1T1G 采用双 NPN 结构,这使其能够在同一封装内实现两个独立的晶体管功能,最大化空间利用率并简化电路设计。
  2. 电流和电压规格
    • 最大集电极电流 (Ic):100mA,适合多种应用,不易超过此限制,有助于提高可靠性。
    • 集射极击穿电压 (Vce):最大值为50V,能够应对常见信号的处理需求。
    • 功率消耗:该元件的最大功率限制为250mW,适合低功耗电路,特别是在便携式设备设计中。
  3. 电路增益:在特定条件下,最低 DC 电流增益 (hFE) 达到80 @ 5mA,10V,使其在放大应用中具有较强的能力。
  4. 饱和压降:当输入电流 (Ib) 为1mA到10mA 时,Vce 饱和压降最大为250mV,显示其在高频和开关应用中的高效率。
  5. 截止电流:在极小的截止工作条件下,集电极截止电流可降至500nA,进而支持低功耗的内容处理和待机状态。

封装与安装

MUN5233DW1T1G 采用 SC-88、SC70-6、SOT-363 封装形式,是一种紧凑、轻量的表面贴装型器件,适合于高密度电路板设计。该封装不仅可以降低元器件之间的电感和电阻,还便于自动化生产和焊接,有助于提高生产效率和降低生产成本。

应用领域

MUN5233DW1T1G 适用的应用领域非常广泛,包括但不限于:

  • 便携式设备:借助其低功耗特性,MUN5233DW1T1G 适用于手机、平板电脑和其他便携式电子产品中,以延长电池使用时间。
  • 开关电源:可作为开关元件使用,能够高效地处理电流的开关,适合用于高频信号的处理。
  • 消费电子:广泛应用于电视、音响设备等消费电子产品中,作为信号放大和开关控制元件。
  • 工业设备:能够在一些工业监控与控制设备中负责小信号的开关和处理,提升系统整体性能。

结论

总之,MUN5233DW1T1G 是一款具有高效、可靠和多功能特性的双 NPN 预偏压数字晶体管,广泛适用于低功耗和高密度电路设计。其出色的电流和电压规格、优异的电流增益以及紧凑的封装,使其成为现代电子设计中特别受欢迎的选择。无论是在消费电子、便携设备还是工业应用中,MUN5233DW1T1G 都展现出优良的性能和优越的应用灵活性。