晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
功率 - 最大值 | 250mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
MUN5233DW1T1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的数字晶体管,采用先进的表面贴装技术,具有出色的电气性能和广泛的应用场景。这款晶体管属双 NPN 预偏压式设计,适用于需要精确控制的电子电路,尤其是在低功耗和小型设备中表现优异。
MUN5233DW1T1G 采用 SC-88、SC70-6、SOT-363 封装形式,是一种紧凑、轻量的表面贴装型器件,适合于高密度电路板设计。该封装不仅可以降低元器件之间的电感和电阻,还便于自动化生产和焊接,有助于提高生产效率和降低生产成本。
MUN5233DW1T1G 适用的应用领域非常广泛,包括但不限于:
总之,MUN5233DW1T1G 是一款具有高效、可靠和多功能特性的双 NPN 预偏压数字晶体管,广泛适用于低功耗和高密度电路设计。其出色的电流和电压规格、优异的电流增益以及紧凑的封装,使其成为现代电子设计中特别受欢迎的选择。无论是在消费电子、便携设备还是工业应用中,MUN5233DW1T1G 都展现出优良的性能和优越的应用灵活性。