IRFS3806TRLPBF
IRFS3806TRLPBF参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 43A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15.8 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 50µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 71W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1150pF @ 50V |
IRFS3806TRLPBF手册
IRFS3806TRLPBF概述
产品概述：IRFS3806TRLPBF
基本信息
IRFS3806TRLPBF 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），属于 HEXFET® 系列。该产品采用 D2PAK 封装，具有优异的热性能和电气特性，广泛应用于电源管理、高效开关电源、直流-直流转换器、马达控制等领域。
主要特点
高电流能力：IRFS3806TRLPBF 可以在 25°C 时承受高达 43A 的连续漏电流（Id），使其能够在需要高电流驱动的应用场合中表现出色。
低导通电阻：该 MOSFET 在 25A 和 10V 的驱动电压下，其最大导通电阻仅为 15.8 毫欧，极大降低了功耗，有助于提高系统的整体效率。
高电压耐受性：IRFS3806TRLPBF 的漏源电压（Vdss）为 60V，适合用于高电压环境的应用，具备良好的安全余量。
广泛的工作温度范围：该器件在 -55°C 至 175°C 的广泛工作温度范围内可靠运行，适合高温和低温环境，满足航空航天、汽车电子等特殊应用的需求。
优越的散热能力：最大功率耗散能力为 71W，能够满足高功率应用的需求。D2PAK 封装有助于在散热管理方面提供良好的支持。
迅速的开关特性：它的栅极电荷（Qg）为 30nC（在 10V 时），使其具有较快的开关速度，这对于高频应用尤为重要。
适应性强：用户可以在 Vgs 最大值为 ±20V 的条件下工作，从而为多种电路设计提供了灵活性。
应用领域
IRFS3806TRLPBF 的优秀性能使其适用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：广泛应用于开关电源（SMPS），可用于直流-直流转换器以及不间断电源（UPS）系统。
- 马达控制：在电动机驱动应用中，能够有效控制电机的启停和速度调整，具有良好的动态响应特性。
- 逆变器：在太阳能逆变器和其他形式的逆变器应用中，可以提供高效的电能转换和控制。
- 汽车电子：在汽车电源管理拆分、驱动电机及照明系统中，具备高温和高压性能。
结论
总之，IRFS3806TRLPBF 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，其低导通电阻、高电流承载能力与宽工作温度范围使其在电源管理、电机驱动及其他高效能应用环境中拥有极高的价值。无论是在普通消费电子产品还是在复杂自动化系统中，IRFS3806TRLPBF 提供了出色的解决方案，是设计师非常推荐的高性能元件。