安装类型 | 表面贴装型 | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 Ohms | 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA | 功率 - 最大值 | 225mW |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2µA @ 4V | 容差 | ±2% |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
BZX84B6V8LT1G 是一款高性能的齐纳二极管,专门设计用于电压稳压和过压保护的应用。这款器件由安森美半导体(ON Semiconductor)制造,具备卓越的性能和可靠性,适用于各种电子电路的需求。
BZX84B6V8LT1G 二极管的标称齐纳电压为 6.8V,具有极小的容差(±2%),确保在电路中维持稳定的输出电压。这一特性尤其适合用于精细的模拟电路及数字电路中的电压参考设计。该器件的最大功率为 225mW,使其能够应对多种功率条件下的应用。
安装类型:该器件采用表面贴装型(SMT)设计,封装为 SOT-23-3(TO-236),使其在PCB上的占用空间极小,同时便于实现高密度集成。这种特性使得 BZX84B6V8LT1G 特别适用于便携式设备、通信设备和工业控制系统等寻求缩减尺寸而性能不妥协的应用。
工作温度范围:器件的工作温度范围为 -65°C 到 150°C,这一点尤为重要,因为在严苛环境条件下,二极管仍然能够保持稳定的性能,确保电路可靠运行。无论是在高温还是低温的条件下,该器件都表现出色,适合航空航天、汽车和工业自动化等领域的应用。
电压特性:该器件的反向泄漏电流在 4V 下为 2µA,表明其在正常工作条件下具有优秀的电流泄漏性能,这对于延长电路的使用寿命至关重要。正向电压 (Vf) 在 10mA 的条件下为 900mV,这表明其在正向导通时的能耗较低,有助于提高系统的整体能效。
阻抗:该器件的最大阻抗(Zzt)为 15 Ohms,低阻抗特性有助于在电压调稳状态下提供良好的动态响应,确保负载变化时电压能够迅速调整而不产生明显波动。
BZX84B6V8LT1G 二极管广泛应用于以下场景:
BZX84B6V8LT1G 是一款理想的选择,适用于需要精准电压控制和高可靠性的二极管应用。它的紧凑式封装、高工作温度范围、低正向及反向电流特点,使其在现代电子设计中脱颖而出。无论是用于电源管理、信号保护还是消费电子,该器件都能够提供出色的性能,满足设计工程师的各种需求。因此,对于需要高效稳压方案的工程师及设计人员而言,BZX84B6V8LT1G 可谓是一个极具吸引力的优选元件。