PSMN028-100YS,115 产品实物图片
PSMN028-100YS,115 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PSMN028-100YS,115

商品编码: BM0128485790
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
LFPAK56-5
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 89W 100V 42A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.95
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.95
--
50+
¥3.29
--
750+
¥3.06
--
9000+
产品参数
产品手册
产品概述

PSMN028-100YS,115参数

制造商Nexperia USA Inc.包装卷带(TR)
零件状态有源FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)27.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mAVgs(最大值)±20V
功率耗散(最大值)89W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳SC-100,SOT-669漏源电压(Vdss)100V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)33nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1634pF @ 50V

PSMN028-100YS,115手册

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PSMN028-100YS,115概述

PSMN028-100YS,115 产品概述

一、基本信息

PSMN028-100YS,115 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N 通道 MOSFET,在电子工程和电源管理领域中得到了广泛应用。这款元器件具有出色的电流和电压处理能力,适合多种高功率应用,如电机驱动、DC-DC 转换器、开关电源等。

二、主要特点

  1. 额定电流与电压

    • 连续漏极电流(Id):在 25 °C 的环境温度下,这款 MOSFET 能够承受高达 42A 的连续电流,这使其非常适合高功率的需求。
    • 漏源电压(Vds):具有 100V 的电压耐受能力,能够应对大多数中压电源和驱动电路的需求。
  2. 导通电阻

    • 在 10V 的栅极驱动电压下,最大导通电阻(Rds On)为 27.5 毫欧,这是行业内较低的值,证明了其卓越的导电性能,从而有效降低了功耗和发热。
  3. 栅极驱动特性

    • 最大栅极源极电压(Vgs)为 ±20V,适应性强,能够在多种控制电路中使用。
    • 栅极阈值电压(Vgs(th))最大为 4V @ 1mA,能够在较低的栅极电压下迅速开启,尤其适合快速开关应用。
  4. 功率耗散

    • 该器件的最大功率耗散能力为 89W(@ Tc),使得在高功率应用时更加可靠。
  5. 工作温度范围

    • 工作温度范围达到了 -55°C 到 175°C,适应性广,能够在极端环境中保持稳定性能,特别适合航空航天和汽车电子领域的应用。
  6. 封装与安装

    • 采用 LFPAK56-5 封装,适合表面贴装(SMD),便于实现高密度的PCB设计,节省空间。
  7. 电容特性

    • 输入电容(Ciss)最大为 1634pF @ 50V,栅极电荷(Qg)最大为 33nC @ 10V,这些特性使得此 MOSFET 非常适合高频开关应用。

三、应用领域

PSMN028-100YS,115 的高度集成化设计使其在以下应用场景中表现优异:

  1. 电机驱动:应用于工业逆变器和伺服电机驱动系统,能够承受高电流和快速开关的需求,提升效率。

  2. 电源管理:在 DC-DC 转换器、开关电源中应用,能够有效降低能量损耗和发热,持续提供稳定的输出。

  3. 汽车电子:适用于电动汽车的电源系统,能够在高温和严苛条件下保证安全和稳定。

  4. 可再生能源:在太阳能逆变器和风能发电系统中也表现出色,通过高效率和低热量设计,可以提高整体系统的可靠性和节能效果。

四、总结

PSMN028-100YS,115 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET,适用于各种需要高电流和高电压处理的应用。其卓越的电性能、宽广的工作温度范围以及先进的封装设计,使其成为现代电子设备中的理想选择。适应了当今市场对高功率、高效率以及高可靠性组件的需求,是工程师们在设计电源管理解决方案时的重要合作伙伴。