制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 170mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 145 @ 1A,5V | 频率 - 跃迁 | 150MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | SOT-89 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
功率 - 最大值 | 500mW | 基本产品编号 | PBSS5240 |
基本信息
PBSS5240XX 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 PNP 晶体管。该晶体管在 SOT-89 封装中设计,适用于多种电子应用,具备优异的电气特性和可靠性,尤其在高温和高频环境下表现突出。它的主要应用包括开关和放大电路,特别适用于需要控电流和高增益的场景。
电气特性
PBSS5240XX 的电流 - 集电极 (Ic) 最大值为 2A,电压 - 集射极击穿(Vceo)最大值为 40V,适合低至中等电压应用。它的功率处理能力高达 500mW,可在较为恶劣的条件下稳定工作。晶体管工作温度范围从 -40°C 至 150°C,意味着它可以在极端温度条件下运行,适合汽车、工业和消费电子等领域的应用。
增益和饱和压降
PBSS5240XX 在 1A、5V 时提供的 DC 电流增益 (hFE) 达到了最低 145,显示出其在放大应用中的优越性能。同时,该元器件在不同的集电极电流 (Ic) 下,其 Vce 饱和压降 (Vce(sat)) 的最大值为 170mV(在 50mA 时)和 500mV(在 500mA 时),确保了低功耗运行和高效能,减少了功耗在电路中的影响。
频率特性
该器件的频率跃迁特性为 150MHz,显示在高频应用中的适应能力,尤其适合 RF 线性放大器和其他高频处理电路。这一特点让 PBSS5240XX 在无线通信、信号处理等场合有着广泛的应用。
封装和安装类型
PBSS5240XX 采用 SOT-89-3 封装,表面贴装型设计使其易于集成在现代电子设备中。这种封装的紧凑性不仅节省了空间,同时还方便了自动化生产线的装配,提高了生产效率。
应用场景
由于其高电流处理能力和优良的增益特性,PBSS5240XX 在多个领域均表现出色,包括:
总结
PBSS5240XX 是一款多功能、高性能的 PNP 晶体管,凭借其丰富的电气特性和适应能力,适合各种工业和消费电子产品的应用。凭借卓越的增益和频率响应特性,该晶体管在提高电子设备的效率和性能方面起着至关重要的作用。无论是音频信号处理、开关控制还是在高温环境下工作,PBSS5240XX 都是一款值得信赖的选择。