注：图像仅供参考，请参阅产品规格
PMN48XP,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
TSOP-6
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 530mW；6.25W 20V 4.1A 1个P沟道 SOT-457
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.92按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.92
--
50+
￥0.634
--
1500+
￥0.577
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
PMN48XP,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 530mW（Ta），6.25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 10V |
PMN48XP,115手册
无数据
PMN48XP,115概述
PMN48XP,115 产品概述
简介
PMN48XP,115 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能 P 通道 MOSFET（场效应晶体管），主要用于低功耗、高效率和快速开关的电子电路。其小巧的 6-TSOP 封装（亦称为 SOT-457）适合于表面贴装（SMD），能够有效节省电路板空间，满足现代电子设备日益紧凑的设计需求。
技术参数
核心电气特性：
- 漏源电压 (Vdss): 20V
- 额定电流 (Id): 4.1A@25°C
- 功耗: 最大功率耗散可达 530mW（在环境温度 Ta 下）和 6.25W（在结温 Tc 下）。
导通电阻 (Rds On):
- 在支持的驱动电压 2.5V 和 4.5V 下，PMN48XP,115 具有最大导通电阻为 55 毫欧（在 2.4A 和 4.5V 时），这使得其在开关操作中过低的功率损耗表现尤为突出。
栅极电压 (Vgs): 最大可承受栅极驱动电压为 ±12V，这使得设备在多种电压环境中都可以稳定工作。
阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 条件下，阈值电压的最大值为 1.25V，这一特性使得 MOSFET 能够在更低的电压下启动，提高了电路的灵活性与兼容性。
电容特性:
- 栅极电荷 (Qg) 最大为 13nC（在 4.5V 时），体现了其良好的开关性能和高效的驱动特性。
- 输入电容 (Ciss) 最大为 1000pF（在 10V 电压下），提供了较高的输入阻抗和良好的电流驱动能力。
工作温度范围: 该组件能够在极端温度条件下稳定运行，工作温度范围为 -55°C 到 150°C，这保证了其在严苛环境下的可靠性。
应用场景
PMN48XP,115 适用于多种应用领域，包括但不限于：
- 开关电源：由于其低导通电阻和高效能，适合用作开关管以减少能耗并提高能效。
- 负载开关：能够控制小型至中型负载的开启和关闭，广泛应用于消费电子、工业控制系统中。
- 电池管理系统：其低功耗特性使其成为电池供电设备中理想的电源开关元件。
- 电机驱动：应用于直流电机或者步进电机驱动电路，提供高效的电流控制。
- 信号放大器：可用于音频放大器和RF放大器电路中，提供可靠的性能支持。
结论
综上所述，PMN48XP,115 是一款具有出色性能及可靠性的小型 P 通道 MOSFET，因其优良的导通电阻、较宽的工作温度范围以及设计灵活性，非常适合于现代电子产品中的多种应用。无论是在电子设计初期的原型开发，还是在大规模生产时，该元件都可为设计工程师提供稳定、高效的解决方案。借助 Nexperia 的专业技术支持，客户可以在满足电路性能的同时，降低成本和功耗，提升整体系统的竞争力。