注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
PMN30XPEX
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
TSOP-6
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 560mW；6.25W 20V 5.3A 1个P沟道 SOT-457
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.16按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.16
--
50+
￥0.894
--
1500+
￥0.812
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
PMN30XPEX参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 34毫欧 @ 5.3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 560mW（Ta），6.25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1465pF @ 10V |
PMN30XPEX手册
PMN30XPEX概述
产品概述：PMN30XPEX MOSFET
概述
PMN30XPEX是Nexperia USA Inc.推出的一款高性能P通道MOSFET（场效应管），采用先进的金属氧化物半导体技术。这款元器件以其稳健的电气性能和广泛的应用范围而受到工程师们的青睐，特别适合于各种低至中等功率的开关控制和信号调理电路。
主要参数
- 制造商: Nexperia USA Inc.
- 零件状态: 有源
- FET类型: P通道MOSFET
- 封装: 6-TSOP (SC-74, SOT-457)
- 安装类型: 表面贴装型
电气性能
- 25°C时电流: PMN30XPEX可承受持续漏极电流（Id）高达5.3A，确保在低温环境下的稳定工作。
- 漏源电压（Vdss）: 该MOSFET具有高达20V的漏源电压能力，使其能够应对多种应用场景，对大多数低压电源配置具有良好的兼容性。
- 栅极-源极电压（Vgs）: 最大为±12V，为设计提供了灵活性，确保能够在多种驱动条件下正常工作。
- 导通电阻（Rds On）: 在4.5V Vgs下，其最大导通电阻为34毫欧，极低的导通电阻有助于提高系统效率，减少功耗。
- 功率耗散: 在环境温度为25°C时，该器件的最大功率耗散可达560mW，而在结温条件下（Tc）为6.25W，适合于各种散热管理设计。
临界参数
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为1.25V @ 250µA，确保在较低的栅极电压下便能开启，提高开关效率。
- 栅极电荷（Qg）: 不同Vgs情况下最大栅极电荷为17nC @ 10V，其较小的栅极电荷值有助于提升开关频率和减少开关损耗。
- 输入电容（Ciss）: 不同Vds情况下，输入电容为1465pF @ 10V，能够有效降低驱动电路的负担，提高整体电路的动态响应性能。
工作温度范围
PMN30XPEX的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于严苛环境下的应用。无论是在高温或低温条件下，该器件都能保持其电气性能与稳定性，适合广泛的工业和消费电子应用。
应用场景
该MOSFET广泛应用于开关电源、直流电机驱动器、负载开关、LED驱动、以及其他需要高效电源管理和信号控制的电子设备。由于其出色的热性能与低导通电阻，PMN30XPEX特别适用于高效率的DC-DC转换中。此外，它也常被用于便携式设备、汽车电子及其他低功耗电路中。
总结
PMN30XPEX是Nexperia的一款全面平衡的高性能P通道MOSFET，凭借其高电流承受能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，极大地丰富了设计工程师们的选择空间。无论是在高频开关应用还是温度严苛的环境下，它都展现出稳定可靠的工作特性，是实现高效能电路设计的理想元件。选择PMN30XPEX，助力您在电源管理和信号控制方面的创新设计。