晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 47 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 22 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA |
功率 - 最大值 | 300mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
PUMD17,115 是一款高质量的数字双极晶体管 (BJT),包含一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,专为汽车电子应用设计。该器件符合 AEC-Q101 标准,确保其在恶劣环境下的可靠性和稳定性。PUMD17,115 采用6引脚的 TSSOP (Thin Shrink Small Outline Package) 封装,具有出色的空间利用率,适合各类紧凑型电路设计。
PUMD17,115 的主要规格如下:
PUMD17,115 适用于多种汽车电子及工业应用,如电子控制单元 (ECU)、传感器接口、开关电源、信号放大和转换电路等。凭借其高集电极电流容量和低饱和压降,这款晶体管能够在要求高效率的应用中发挥重要作用。无论是作为驱动器、开关,还是在模拟信号放大中使用,PUMD17,115 都展现了优异的性能表现。
PUMD17,115 是一款功能强大的双极晶体管,专为满足现代汽车与工业电子应用的需求而设计。其独特的规格和高效的操作特性使其成为需要高电流、高电压以及低功耗特性的电路设计中的理想选择。无论是在信号放大、开关应用,还是任何要求高度可靠的场合,PUMD17,115 都能提供卓越的性能,帮助设计师实现更高的设计目标并推动创新。