MMBT5551M3T5G 产品实物图片
MMBT5551M3T5G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBT5551M3T5G

商品编码: BM0128480896
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-723
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 265mW 160V 60mA NPN SOT-723
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.936
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.936
--
100+
¥0.645
--
500+
¥0.586
--
2000+
¥0.544
--
4000+
¥0.507
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBT5551M3T5G参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)60mA
电压 - 集射极击穿(最大值)160V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 10mA,5V
功率 - 最大值265mW工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-723
供应商器件封装SOT-723

MMBT5551M3T5G手册

empty-page
无数据

MMBT5551M3T5G概述

MMBT5551M3T5G 产品概述

基本信息

MMBT5551M3T5G 是一款高性能的 NPN 型晶体管,其主要特点是低饱和压降和高电压承受能力,使其适用于各种应用场景。此款晶体管由 ON Semiconductor(安森美)公司生产,符合现代电子设计的需求。

主要参数

  1. 晶体管类型:MMBT5551M3T5G 是一种 NPN 型晶体管,适合在开关和放大应用中使用。

  2. 集电极电流(Ic)最大值:60mA 使得该元件适用于低功率驱动的应用,适合微控制器和其他逻辑电路的驱动需求。

  3. 集射极击穿电压(Vceo)最大值:160V 使得该晶体管能够在高压环境中运行,适合家电产品和高压开关电源。

  4. 饱和压降:当 Ic 为 5mA 和 50mA 时,Vce 饱和压降最大值为 200mV,这种低压降特性能够增强电路的效率,减少能量损耗。

  5. 集电极截止电流:该参数为 50nA,表明晶体管在关闭状态下几乎不会导致漏电流,这是设计高效电路的重要考量。

  6. DC 电流增益 (hFE):在 Ic 为 10mA 和 Vce 为 5V 时,hFE 最小值为 80,这意味着该晶体管能够有效地放大输入信号,适用于音频设备、信号放大器等场合。

  7. 功率最大值:265mW 的功率承载能力,对应于多种电子设备,能够在不产生过多热量的情况下实现高效运行。

  8. 工作温度范围:-55°C 至 150°C 的广泛温度范围使得 MMBT5551M3T5G 能够适应严酷的环境条件,符合工业和汽车电子等应用的要求。

  9. 封装类型:采用 SOT-723 表面贴装封装,节省空间,便于自动化生产,适合现代电子产品的小型化设计。

应用领域

MMBT5551M3T5G 潜在应用广泛,包括但不限于以下领域:

  1. 开关电路:适合用于控制灯光,电机和其他负载的开关电路。
  2. 信号放大:在音频和射频应用中,作为信号放大器使用,匹配各种输入信号。
  3. 电源管理:在开关电源中作为开关元件,提升电源的转换效率。
  4. 消费电子产品:如电视、音频设备、家电等低功率控制电路。
  5. 汽车电子:适应高温环境,能够应用于汽车传感器和控制电路中。

结论

MMBT5551M3T5G 是一款卓越的 NPN 晶体管,其出色的电气性能、广泛的工作温度范围和小巧的封装设计,使其成为多种电子应用的理想选择。凭借安森美的品牌保障和可靠性,此产品能够为设计工程师提供更高的设计灵活性和更好的性能表现。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域,MMBT5551M3T5G都可以显著提升产品性能,满足市场对高效、高性能电子元件的需求。