IPP77N06S212AKSA2
IPP77N06S212AKSA2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 77A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 毫欧 @ 38A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 93µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1770pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 158W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | PG-TO220-3-1 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IPP77N06S212AKSA2手册
IPP77N06S212AKSA2概述
产品概述：IPP77N06S212AKSA2 MOSFET
一、产品基本信息
IPP77N06S212AKSA2 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），由知名半导体厂商英飞凌（Infineon）研发。这款 MOSFET 封装为 TO-220-3，适合通孔安装，旨在提供优异的电气性能和散热能力，广泛应用于各种电源管理和开关应用中。
二、主要参数
漏源电压（Vdss）：最大可达 55V，这使得它能够在较高电压下稳定工作，适合工业和消费类电子设备。
连续漏极电流（Id）：在 25°C 的条件下，最大连续电流为 77A（Tc），意味着在相对较高的负载条件下也能保持可靠运行。
导通电阻（Rds On）：该器件在 10V 的驱动电压下，38A 时导通电阻最大值为 12 毫欧。这一特性使得其在开关频率较高的应用中具有良好的效率，降低了能量损耗。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：在 93µA 的漏电流下，最大阈值电压为 4V，这是导致 MOSFET 由不导通状态转为导通状态的临界电压，为设计者提供了灵活性。
栅极电荷（Qg）：10V 导通时的最大栅极电荷为 60nC，能够有效控制开关频率，针对高频应用依然能够保证低的导通损耗。
输入电容（Ciss）：在 25V 条件下，最大输入电容为 1770pF，这一电容值使得驱动电路设计相对容易，能够高效完成信号转换。
功率耗散：该器件最大功率耗散能力为 158W（Tc），高功率处理能力确保其能够在高负载情况下正常工作，而不会过热。
工作温度范围：-55°C 到 175°C 的宽温工作范围，使得该 MOSFET 适应各种极端环境，尤其适合航空航天及工业应用等严格环境下的可靠性要求。
三、适用场景
IPP77N06S212AKSA2 MOSFET 的优势使得其在多种应用场合均能发挥重要作用，主要应用包括：
DC-DC 转换器：优异的导通电阻和高功率处理能力，在开关电源（SMPS）中担任开关元件，提升整体转换效率。
电机驱动：在电机驱动电路中，能高效处理大电流并应对频繁的开关操作，提高电机的响应速度和效率。
电源管理：广泛应用于电源模块和电池管理系统中，尤其是在需要高电流和低功耗的场合。
汽车电子：在电动汽车或混合动力汽车中充当开关元件，监控电池管理和动力转储，提高能量利用率及系统安全。
四、总结
IPP77N06S212AKSA2 N 通道 MOSFET 是一款功能强大且高效的电子元器件，凭借其优异的电气参数及宽广的工作环境适应性，能够满足现代电子产品对功率和效率的严格要求。设计工程师可以根据其特性，将其应用于各类高性能电源转换和电机控制的解决方案中，充分发掘其在各项应用中的潜力。选择这款 MOSFET 不仅能够提高系统效率，同时也为设备的可靠性提供有力保障。