DDTA113TCA-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTA113TCA-7-F

商品编码: BM0127477781
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-23
库存 :
2850(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.661
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.661
--
200+
¥0.22
--
1500+
¥0.138
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTA113TCA-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)1 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值200mW安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

DDTA113TCA-7-F手册

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DDTA113TCA-7-F概述

DDTA113TCA-7-F 产品概述

产品简介
DDTA113TCA-7-F是一款高性能PNP型预偏置数字晶体管,由知名电子元件制造商DIODES(美台)专门设计,适用于多种低功率开关和放大电路应用。此产品采用SOT-23表面贴装型封装,其小巧的尺寸使其特别适合现代电子设备中的高密度布局。

技术规格

  1. 晶体管类型:DDTA113TCA-7-F采用PNP结构,适用于负电源环境中,需要将低电平信号转化为高电平输出的应用。
  2. 集电极电流 (Ic):最大集电极电流为100毫安,适合需要小至中等功率驱动的应用,如小电机、继电器等。
  3. 集射极击穿电压 (Vce):最大值为50伏,提供良好的电源兼容性,适用于家庭电器和低压电源设计。
  4. 基极电阻 (R1):推荐的基极电阻为1kΩ,确保适当的偏置条件,从而实现稳定的工作状态和理想的增益特性。
  5. DC电流增益 (hFE):在特定条件下(1mA集电极电流和5V集射极电压下),最低DC电流增益hFE为100,说明该晶体管在小信号放大中表现出色。
  6. 饱和压降 (Vce(sat)):在1mA和10mA电流下,饱和压降最大值仅为300mV,确保更高效的功率传输,减少功耗。
  7. 集电极截止电流 (ICBO):最大为500nA,表明在关闭状态下漏电流极低,有助于降低整个电路的功耗。
  8. 工作频率:具有高达250MHz的频率响应能力,适合用于高频应用和快速开关电路。

应用领域
DDTA113TCA-7-F广泛应用于各种领域,包括:

  • 消费电子:用作音频和视频设备的开关放大器,确保信号质量。
  • 通信设备:在移动通信和无线设备中,作为信号放大或开关元件。
  • 电缆通信:在信号处理电路中提供低功耗、低噪声的放大。
  • 汽车电子:在车载电子设备中,用于开关和控制信号的传递。
  • 电源管理:用作开关电源中的控制元件,提供动态响应能力。

设计考虑
在使用DDTA113TCA-7-F时,设计人员需注意如下几点:

  1. 散热管理:虽然该晶体管的最大功率为200mW,但在高负载条件下仍需考虑散热管理,以避免热过载造成器件性能下降。
  2. 电源电压:确保供应的电源电压不超过50V,以保障晶体管的安全可靠性。
  3. 电流限制:需严格控制基极电流与集电极电流的比例,以确保工作在正常状态。

优势总结
DDTA113TCA-7-F集高效率、低功耗和小尺寸于一体,是设计现代电子设备时的一款理想选择。其出色的电流增益、低饱和压降和高频响应能力,使其在各种应用中表现出色,非常适合对性能有高要求的电子设计。

总之,DDTA113TCA-7-F不仅具备多种优势,同时也为设计师和工程师在产品开发过程中提供了灵活和可靠的解决方案,适应快速发展的电子产品市场需求。