晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 47 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-523 |
供应商器件封装 | SOT-523 |
DDTA144EE-7-F 是一款高性能的数字晶体管,采用 SOT-523 封装,是一款 PNP 预偏压型晶体管。它的主要电流特性为最大集电极电流(Ic)100mA,最大集射极击穿电压(Vce)为50V。这款晶体管的设计和参数使其十分适合小型电子元器件的应用,尤其是在需要较小电流和电压控制的数字电路中。
在不同的工作条件下,DDTA144EE-7-F 提供了较高的 DC 电流增益(hFE),在5mA 和 5V 的情况下,hFE 最小值为68,确保了在小信号放大应用中的优良性能。同时,该器件在集电极电流500µA 与 10mA 的情况下,最大 Vce 饱和压降仅为300mV,这意味着它在导通时的功耗相对较低,有助于提高功率效率。
DDTA144EE-7-F 的集电极截止电流(Ic(max))为 500nA,显示出其在关断状态下的优越性能,能有效减小功耗,适合于低功耗设备的设计。
该晶体管的发射极电阻(R2)和基极电阻(R1)均为 47 kOhms。这些电阻器的配置确保了晶体管能够在多种工作条件下保持稳定的工作状态。基极电阻的预设有助于实现合理的基极电流,确保晶体管可以灵活响应输入信号,增强电路的稳定性。
DDTA144EE-7-F 的跃迁频率高达250MHz,这一特性确保它在高速开关应用中的有效性,能够满足对响应时间有较高要求的电路框架。此外,该器件的最大功率为150mW,使其能够承受较大的功率负载,适用于需要高功率密度的应用场景。
DDTA144EE-7-F 采用表面贴装型(SMD)的 SOT-523 封装,设计紧凑,适合各种现代电子设备的空间要求。这种封装类型不仅减小了电路板的占用面积,同时也提供了良好的热管理性能,适用于高密度集成的电路板布局。
DDTA144EE-7-F 广泛应用于消费电子、通信设备以及计算机周边设备等领域。它可以用于驱动小功率负载、放大信号以及作为开关元件解决电路的控制问题。同时,该晶体管在响应时间和功耗方面的优势使其非常适合用于音频放大、开关电源以及信号调理电路中。
DDTA144EE-7-F 是一款优秀的数字晶体管,凭借优越的电气性能、灵活的应用场景以及低功耗特性,成为设计师在各种电子应用中的理想选型。无论是在高速信号处理还是需要高效功率转化的应用中,DDTA144EE-7-F 都是一个具备广泛适应性和可靠性的解决方案。