DMN2120UFCL-7 产品实物图片
DMN2120UFCL-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN2120UFCL-7

商品编码: BM0127477769
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN1616-6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 130pF@10V 20V UDFN1616-6
库存 :
2887(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.584
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.584
--
200+
¥0.377
--
1500+
¥0.328
--
3000+
¥0.29
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN2120UFCL-7参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1900-5000 CMA
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)2.8nC @ 10V
Vgs(最大值)±12V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)130pF @ 10V
功率耗散(最大值)450mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装Software Configurable Input/Output
封装/外壳6-PowerUFDFN

DMN2120UFCL-7手册

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DMN2120UFCL-7概述

DMN2120UFCL-7 产品概述

概述

DMN2120UFCL-7 是由美台(DIODES)公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,主要用于低压、高导电性的电子电路中。这款器件采用了先进的 MOSFET 技术,具备出色的开关性能和热稳定性,特别适合在功率管理、电子开关、以及其他要求高效率和高可靠性的应用场景中使用。

主要特点

  1. 电压和电流特性

    • 漏源电压(Vds)最大为 20V,使其适用各种低压电源应用。
    • 在 25°C 时连续漏极电流(Id)可达 1.8A,这使得该 FET 能够在中小功率应用中发挥其高效性能。
  2. 导通电阻

    • 最大导通电阻(Rds On)在不同的栅源电压(Vgs)下表现优秀。在 1.8V 和 4.5V 下,Rds On 最少可达到 1900 mΩ,这是该器件在提高效率和降低发热方面的关键参数。
  3. 开关特性

    • 在栅极电压为 10V 时,栅极电荷(Qg)最大值为 2.8nC,表明该 MOSFET 在开启和关闭时的交换速度较快,有助于提高系统的开关效率。
  4. 输入电容

    • 输入电容(Ciss)最大为 130pF @ 10V,适用于高频切换操作,确保系统能够快速响应不同的控制信号。
  5. 温度范围与耐用性

    • 工作温度范围广泛,-55°C 至 150°C,能够在极端环境中充分工作,保证了器件的可靠性和耐用性。
  6. 封装类型

    • DMN2120UFCL-7 采用 6-PowerUFDFN 封装类型,满足表面贴装的需求,适合紧凑型和高密度的电路布局。

应用场景

DMN2120UFCL-7 广泛应用于多种领域,包括但不限于:

  • 电源管理:可以用于 DC-DC 转换器、开关电源和电池管理系统,提高系统的效率和稳定性。
  • 电子开关:在LED驱动、负载开关等应用中,能可靠控制电流的开路和关路。
  • 电机控制:适合用于无刷电机控制器,提供高效的功率传输。
  • 消费电子:在智能手机、平板电脑等小型电子设备中,作为电源切换元件使用。

性能总结

DMN2120UFCL-7 的设计旨在实现高效、低功耗和高可靠性的电气性能。其低导通电阻和快速的开关特性使得该器件能够在多种动态负载环境中实现出色的电流转换。在开发新一代高性能电源管理解决方案时,这款MOSFET成为了设计师们的理想选择。

结论

DMN2120UFCL-7 作为一款新型 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的规格和多功能应用,已经在行业中占据了非常重要的地位。无论是在工业、消费电子,还是电源管理领域,这款高效能的 MOSFET 提供了出色的性能,能够帮助电子设计工程师实现更灵活、稳定、高效的电气设计解决方案。选择 DMN2120UFCL-7,意味着选择了高质量、高效率和高可靠性的电子组件。