FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1900-5000 CMA |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2.8nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 130pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 450mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Software Configurable Input/Output |
封装/外壳 | 6-PowerUFDFN |
DMN2120UFCL-7 是由美台(DIODES)公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,主要用于低压、高导电性的电子电路中。这款器件采用了先进的 MOSFET 技术,具备出色的开关性能和热稳定性,特别适合在功率管理、电子开关、以及其他要求高效率和高可靠性的应用场景中使用。
电压和电流特性:
导通电阻:
开关特性:
输入电容:
温度范围与耐用性:
封装类型:
DMN2120UFCL-7 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
DMN2120UFCL-7 的设计旨在实现高效、低功耗和高可靠性的电气性能。其低导通电阻和快速的开关特性使得该器件能够在多种动态负载环境中实现出色的电流转换。在开发新一代高性能电源管理解决方案时,这款MOSFET成为了设计师们的理想选择。
DMN2120UFCL-7 作为一款新型 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的规格和多功能应用,已经在行业中占据了非常重要的地位。无论是在工业、消费电子,还是电源管理领域,这款高效能的 MOSFET 提供了出色的性能,能够帮助电子设计工程师实现更灵活、稳定、高效的电气设计解决方案。选择 DMN2120UFCL-7,意味着选择了高质量、高效率和高可靠性的电子组件。