二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 100V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 1A |
速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 2µs |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 100V | 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
供应商器件封装 | DO-41 | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
1N4002G-T是一种标准的二极管,广泛应用于电源整流和信号整流等领域。作为一款超势垒整流器(SBR),其具有优越的电气性能,适用于各种电力电子设备中。其封装形式为DO-41,采用通孔安装类型,便于在PCB上进行焊接与安装。该器件由DIODES(美台)公司制造,具备可靠的质量与性能,适合在各种严苛环境下使用。
1N4002G-T的最大反向工作电压(Vr)为100V,能够有效保护电路免受过电压的影响。同时,其平均整流电流(Io)达到1A,这使得该元件特别适用于低功率直流电源的整流应用。在正向偏置时,该二极管在1A电流下的正向电压(Vf)典型值为1V,这保证了其良好的导通性能,有助于降低整流效率损失。
1N4002G-T具备较高的反向恢复速度,标准恢复的时间大于500ns,并且在200mA的条件下,反向恢复时间(trr)为2µs。这一特性使得该二极管非常适合于开关电源和高频整流电路,能够高效快速地恢复,减少信号失真和能量损耗,从而提高整体电路的效率。
在最大反向电压100V时,1N4002G-T的反向泄漏电流低至5µA,表明其在高电压情况下的优良绝缘性能。这对于延长设备寿命、减少待机功耗至关重要。此外,该二极管在4V偏置下具备8pF的电容特性,适合高频应用,能够有效抑制高频噪声和干扰,提高电路的稳定性。
1N4002G-T的工作温度范围广泛,从-65°C到175°C均能稳定工作。这一特点使其适用于极端工作环境下的电子设备,如汽车电子、航空航天设备和工业自动化控制系统等。高度的耐温性能进一步增强了产品的可靠性,满足了多种工业和商业应用的需求。
1N4002G-T可广泛运用于以下几个领域:
综上所述,1N4002G-T作为一款性能可靠的标准二极管,凭借其强大的电压与电流处理能力、优越的反向恢复特性和宽广的工作温度范围,适应了众多实际应用需求。其高效的整流能力以及低反向泄漏特性使其成为新能源汽车、工业设备及消费电子领域的理想选择。由于其卓越的性能和可靠性,1N4002G-T在电子元器件市场中拥有广泛的适用性与良好的口碑。