注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN65D9L-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 270mW 60V 335mA 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
1568(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.786按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.786
--
200+
￥0.262
--
1500+
￥0.164
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN65D9L-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 335mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .4pC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 41pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 270mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN65D9L-7手册
无数据
DMN65D9L-7概述
DMN65D9L-7 产品概述
DMN65D9L-7 是由 DIODES（美台）公司出品的一款高性能N通道MOSFET（场效应管），其设计和参数适用于电子设备中的多种应用场景，尤其是在需要高频开关和高效率功率处理的条件下。这款MOSFET能够在极端的环境温度下工作，其工作温度范围达到-55°C 到 150°C，使其成为工业、汽车电子和消费类电子产品的理想选择。
核心技术参数
DMN65D9L-7 的主要特性包括：
- 漏源电压（Vdss）： 60V。这一参数使得该MOSFET能够承受相对较高的电压，在很多应用中提供了足够的安全裕度。
- 连续漏极电流（Id）： 335mA（在25°C环境下）。这一规范展现了该器件在正常工作条件下能够承载的最大电流，满足大多数低功率应用的需求。
- 导通电阻（Rds(on)）： 在10V的栅极驱动电压下，最大导通电阻可达4Ω，这一特性确保了在开闭过程中的低能量损耗，进一步提升了设备的工作效率。
- 阈值电压（Vgs(th)）： 最大值为2.5V（在250µA的漏极电流下）。这一特性保证了器件在较低电压下也能正常工作的能力。
- 驱动电压（Vgs）： 该MOSFET的 工作电压范围支持±16V，使其与多个控制电路的兼容性更强。
- 功率耗散能力（P_max）： 最大可达到270mW（在环境温度下），足以应对大多数常见的应用需求。
封装与安装
DMN65D9L-7 采用流行的SOT-23封装（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3），这使得其在PCB（印刷电路板）上的安装变得更加便捷，尤其适用于表面贴装的设计，减小了元器件的占用空间。同时，SOT-23封装也提供了一定的散热能力，充分满足功率传输的需求。
应用场景
由于其卓越的技术参数，DMN65D9L-7 可广泛应用于以下领域：
- 开关电源： 该MOSFET的低导通电阻和高工作效率使其成为开关电源设计中的关键元器件。
- 电池管理系统： 在电池充放电中，能够高效控制电流流动，有助于延长电池的使用寿命。
- 自动化和智能家居： 由于其高频开关能力，DMN65D9L-7 常常被用于各种类型的电机驱动和控制电路。
- 汽车电子： 其极端的工作温度范围和可靠性使得这款MOSFET适用于汽车应用，保证大量车载电子设备的稳定运行。
结论
总的来说，DMN65D9L-7 是一款高效且多功能的N通道MOSFET，由于其良好的电气特性和广泛的适用性，在当今电子设备设计中扮演着至关重要的角色。其在极端环境中的稳定性和可靠性，使其成为高要求应用的理想选择，满足现代电子产品对高性能元器件的需求。