晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 100 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 100 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 82 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
一、产品简介
DDTA115EUA-7-F是DIODES(美台)公司推出的一款高性能密封型PNP晶体管,具有预偏压特性,适用于多种电子应用。该晶体管采用SOT-323封装,适合表面贴装 (SMD) 安装方式,能够满足现代电子设备日益小型化的需求。其设计目标是提供优越的电流放大性能与可靠的工作效率,使其成为开关与放大电路中理想的选择。
二、主要参数
三、应用领域
DDTA115EUA-7-F可以广泛应用于以下领域:
四、优势与特点
强大的热稳定性与可靠性: DDTA115EUA-7-F的高电压和电流额定值保证了设备在高压力环境中的可靠运行,尤其适合长时间工作或高温条件下的应用。
卓越的电流增益: 随着Ic和Vce的变化,晶体管依然能够保持良好的电流增益,适合多种电路需求。
小巧的封装: SOT-323封装的优点在于其小尺寸和轻量化,非常适合空间有限的应用。
低功耗设计: 在关断状态下,DDTA115EUA-7-F的集电极截止电流极低,极大地减少了待机能耗。
五、最终思考
作为一款高性能的PNP数字晶体管,DDTA115EUA-7-F在电路设计中提供了灵活性与可靠性,能够支持多种应用场景。无论是在工业级、商用或消费类电子产品中,其卓越的特性必将为工程师和设计师带来极大的便利。在追求更高效率与更小尺寸的现代电子设备中,DDTA115EUA-7-F无疑是不可或缺的选择。