晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-523 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
DDTA123TE-7-F 是一款高性能的数字晶体管,设计为 PNP 预偏置型器件,具有优异的电流增益和频率响应能力。作为表面贴装型(SMD)元件,采用 SOT-523 封装,这款晶体管非常适合多种电子应用,尤其是在高频开关和信号放大场合中表现出色。由美台(DIODES)制造,DDTA123TE-7-F 提供可靠的电性能和稳定性,能够满足现代电子电路对小型化、低功耗及高效能的需求。
DDTA123TE-7-F 的工作原理基于电流控制的晶体管特性。在应用中,基极电流 (Ib) 控制集电极电流 (Ic),进而可以实现信号放大或开关控制。该元件的高 hFE 值使其在相对低的基极驱动条件下,依然能够提供足够的集电极电流,从而提高了整体电路的效率和可控性。
DDTA123TE-7-F 还具有低饱和压降的特点,使其在处理开关信号时,能够更有效地降低功耗,从而适用于对功耗敏感的应用场景。
DDTA123TE-7-F 适用于多种应用场景,包括但不限于:
该产品设计时充分考虑了工作条件下的可靠性。DDTA123TE-7-F 的集电极截止电流 (ICBO) 最大值仅为 500nA,确保晶体管在不工作状态时损耗极低,适合长期稳定运行。此外,其较高的击穿电压和功率耗散能力,使得其能够应对各种电气干扰和突发事件,提升整体电路的稳定性。
DDTA123TE-7-F 是一款高效、稳定且可靠的 PNP 晶体管,非常适合现代电子产品的需求。从信号放大到开关控制,该产品都能够提供优良的性能表现。凭借其小巧的 SOT-523 封装形式,DDTA123TE-7-F 可以轻松集成入电子设计,助力客户实现高效能、高密度的电路设计。在选择合适的晶体管时,DDTA123TE-7-F 无疑是值得考虑的优质选择。