DDTA123TE-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTA123TE-7-F

商品编码: BM0127477734
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-523
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.242
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.242
--
200+
¥0.156
--
1500+
¥0.136
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTA123TE-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-523供应商器件封装SOT-523

DDTA123TE-7-F手册

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DDTA123TE-7-F概述

DDTA123TE-7-F 产品概述

1. 产品简介

DDTA123TE-7-F 是一款高性能的数字晶体管,设计为 PNP 预偏置型器件,具有优异的电流增益和频率响应能力。作为表面贴装型(SMD)元件,采用 SOT-523 封装,这款晶体管非常适合多种电子应用,尤其是在高频开关和信号放大场合中表现出色。由美台(DIODES)制造,DDTA123TE-7-F 提供可靠的电性能和稳定性,能够满足现代电子电路对小型化、低功耗及高效能的需求。

2. 主要技术参数

  • 晶体管类型: PNP - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA
  • 集射极击穿电压 (Vce): 50V
  • 基极电阻 (R1): 2.2 kΩ
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值100(在1mA,5V时)
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 最大300mV(在500µA,5mA时)
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大500nA
  • 跃迁频率: 250MHz
  • 最大功率耗散: 150mW
  • 封装类型: SOT-523
  • 安装方式: 表面贴装型(SMD)

3. 工作原理

DDTA123TE-7-F 的工作原理基于电流控制的晶体管特性。在应用中,基极电流 (Ib) 控制集电极电流 (Ic),进而可以实现信号放大或开关控制。该元件的高 hFE 值使其在相对低的基极驱动条件下,依然能够提供足够的集电极电流,从而提高了整体电路的效率和可控性。

DDTA123TE-7-F 还具有低饱和压降的特点,使其在处理开关信号时,能够更有效地降低功耗,从而适用于对功耗敏感的应用场景。

4. 应用领域

DDTA123TE-7-F 适用于多种应用场景,包括但不限于:

  • 信号放大: 利用其高增益和频率特性,可用于音频和射频放大器。
  • 开关电路: 适用于各种开关控制电路,特别是在快速切换条件下的应用。
  • 电源管理: 用于电源监测和控制电路,提供高可靠性和低功耗的解决方案。
  • 数字电路: 在微控制器和其他数字电路中,充当驱动级和接口级作用。

5. 可靠性与稳定性

该产品设计时充分考虑了工作条件下的可靠性。DDTA123TE-7-F 的集电极截止电流 (ICBO) 最大值仅为 500nA,确保晶体管在不工作状态时损耗极低,适合长期稳定运行。此外,其较高的击穿电压和功率耗散能力,使得其能够应对各种电气干扰和突发事件,提升整体电路的稳定性。

6. 结论

DDTA123TE-7-F 是一款高效、稳定且可靠的 PNP 晶体管,非常适合现代电子产品的需求。从信号放大到开关控制,该产品都能够提供优良的性能表现。凭借其小巧的 SOT-523 封装形式,DDTA123TE-7-F 可以轻松集成入电子设计,助力客户实现高效能、高密度的电路设计。在选择合适的晶体管时,DDTA123TE-7-F 无疑是值得考虑的优质选择。