晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 22 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
DDTC124TUA-7-F 是由知名品牌 DIODES(美台)制造的一款高性能数字晶体管,其主要特点为 NPN 预偏压结构,专为低功耗和高频应用而设计。它的选择与应用取决于其优异的电气参数和适合的封装,更加适合现代电子设备,尤其是在需要紧凑设计的环境中。
晶体管类型: 本产品为 NPN 型晶体管,适用于多种开关和放大电路。其预偏压特性允许在负载线上保持稳定的工作状态,提高了电路的可靠性。
电流 - 集电极 (Ic): 该晶体管的集电极电流最大值为 100mA,适合大多数小型电子应用,能有效驱动小型电机、LED、继电器等负载。
电压 - 集射极击穿: 最大击穿电压达到 50V,使得 DDTC124TUA-7-F 能够在高电压环境中稳定工作,满足特定应用中的电压要求。
DC 电流增益 (hFE): 在 1mA 的基极电流和 5V 的集电极电压下,最小 DC 电流增益为 100,提供良好的放大能力。这一特性对于信号处理和开关控制电路尤为重要。
Vce 饱和压降: 当基极电流为 500µA 至 5mA 时,最大饱和压降为 300mV,确保尽可能降低功耗,提高工作效率。此参数对于电源管理和信号完整性具有重要意义。
电流 - 集电极截止: 该晶体管的集电极截止电流为最大 500nA,确保在关闭状态下极低的漏电流,提高系统的整体能效。
频率 - 跃迁: DDTC124TUA-7-F 的频率跃迁值达到 250MHz,能够在高速开关应用中维持优秀的性能,适合用于 RF 和数字信号处理应用。
功率 - 最大值: 最大功耗为 200mW,适合用于甚至小型设备中的低功耗应用,满足低能耗产品的市场需求。
安装类型: 该元件采用表面贴装型设计,具备小巧的封装外形,为 PCB 布局设计提供了更多灵活性。尤其是在空间受限的场合中,表面贴装型晶体管可以大大简化电路的设计与生产。
封装: DDTC124TUA-7-F 使用 SOT-323 封装,便于自动化生产,并提高了元件的密度,使得设备能在更小的空间内集成更多的功能。
DDTC124TUA-7-F 的特点使其广泛适用于如下应用场景:
无线通讯: 由于其高频特性,适合用于 RF 放大器、调制解调器等无线通信产品中。
开关电源: 适用于 DC-DC 转换器和开关电源电路,提供稳定的开关性能。
信号处理: 在音频和视频信号放大、调制和解调等应用中,DDTC124TUA-7-F 可实现高效的信号处理。
消费电子: 如手机、平板、电视等产品中的驱动器、开关和控制功能,都可以依赖于该元件的性能。
汽车电子: 在电动汽车及汽车电子控制系统中,用于各类传感器与执行机构的驱动和控制。
DDTC124TUA-7-F 是一款功能全面的 NPN 晶体管,凭借其低功耗、高频和低漏电流特性,广泛适用于现代电子产品。无论是在无线通讯、开关电源,还是在各类消费电子产品中,它都展现出了极高的应用价值。其 SOT-323 的小型化封装设计,更是为紧凑型电路铺平了道路。选择 DDTC124TUA-7-F,意味着选择了一款可靠、安全且高效的电子元器件。