MMDT3904Q-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMDT3904Q-7-F

商品编码: BM0127477714
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 40V 200mA NPN SOT-363
库存 :
80(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.443
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.443
--
200+
¥0.286
--
1500+
¥0.249
--
3000+
¥0.22
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMDT3904Q-7-F参数

晶体管类型2 NPN(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)40V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 10mA,1V
功率 - 最大值200mW频率 - 跃迁300MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装SOT-363

MMDT3904Q-7-F手册

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MMDT3904Q-7-F概述

MMDT3904Q-7-F 产品概述

MMDT3904Q-7-F 是一款高性能的 NPN 型晶体管,专为各种电子应用而设计。作为一款双极结型晶体管 (BJT),其在许多电子电路中扮演着关键角色,例如放大、开关以及信号调节等。这款晶体管以其优越的电性能、广泛的工作温度以及紧凑的封装尺寸,成为设计师们在选择合适电子元器件时的优先考虑。

基础参数

  • 晶体管类型:NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic):最大电流为 200mA,使其能够承受多种常见电流负荷。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大 40V,适合大多数低至中等电压应用。
  • 饱和压降 (Vce, sat):在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 条件下,饱和压降最大为 300mV(在5mA 和 50mA 状态下),这显示了其优良的开关特性。
  • 集电极截止电流 (Ic(cutoff)):最大值为 50nA,表明在截止状态下的漏电流极低,有助于提高电路的整体稳定性和效率。
  • 直流电流增益 (hFE):在 10mA 以及 1V 的条件下,最小值为 100,确保其在放大应用中能够高效操作。

功率与频率

  • 功率 - 最大值:200mW,确保器件在提供足够功率的同时能够保持良好的热管理。
  • 频率 - 跃迁:具备高达 300MHz 的工作频率,适用于高频信号处理的电路,如音频放大器、射频(RF)应用等。

工作环境和安装形式

  • 工作温度:工作温度范围为 -55°C 至 150°C,使其能在极端环境下稳定工作,适合航空航天、军事及工业用途。
  • 安装类型:采用表面贴装型 (SMD),有助于提高装配密度,适合现代电子产品的微型化设计需求。
  • 封装类型:采用 SOT-363 封装,尺寸小,易于贴装,并且具有良好的散热性能。

应用场景

MMDT3904Q-7-F 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 信号放大:用于音频和视频信号的放大电路,帮助提高信号强度并减少噪声。
  2. 开关电路:在数字电路中作为开关,控制设备的开关状态,例如LED驱动、继电器控制等。
  3. 线性调节:在电源管理和音频应用中,用于线性调节器中,提高功率供应的稳定性。
  4. 高频应用:由于其高跃迁频率,适用于无线通信、射频放大器、通信基站等。

总结

综上所述,MMDT3904Q-7-F NPN 晶体管以其优良的电特性、高耐受性和多样化的应用场景,成为电子工程师在设计电路时的重要选择。其小型化的 SOT-363 封装,有助于减小产品体积,为现代电子产品的便携性和系统集成提供有力支持。对于寻求高效稳定性能的应用设计者而言,MMDT3904Q-7-F 无疑是一个强有力的解决方案。