类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 18V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 19V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 17V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 1A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 20W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 0.3pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0201(0603 公制) | 供应商器件封装 | X2-DFN0603-2 |
DESD18VF1BLP3-7 是由美台半导体(DIODES)公司生产的一款高性能瞬态抑制二极管(TVS二极管),专门用于电子电路的瞬态电压抑制和过压保护。这款器件采用表面贴装型(SMD)封装,型号为 X2-DFN0603-2,适合高密度电路板应用。其设计旨在为敏感元件提供极佳的电压保护,避免因电压瞬变导致的电路故障。
电压特性:
电流承受能力:
功率特性:
工作温度范围:
电容特性:
DESD18VF1BLP3-7 瞬态抑制二极管广泛应用于各种电子设备,特别是在需要较高抗干扰能力的场合。常见的应用领域包括:
DESD18VF1BLP3-7 瞬态抑制二极管是一款性能卓越的保护元件,其稳定的电压特性、较高的电流承受能力以及宽广的工作温度范围使其成为众多电子应用的理想选择。无论是在通信设备、消费电子还是工业控制领域,该器件都能够有效保障电路的安全和稳定。随着电子设备日益向小型化和高性能发展,该款二极管提供的高效保护将显得愈发重要,确保现代电子设备在各种环境下可靠运行。