注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN61D9UW-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT323
包装 :
编带
重量 :
0.03g
描述 :
场效应管(MOSFET) 320mW 60V 340mA 1个N沟道 SOT-323-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.323按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.323
--
150+
￥0.231
--
1500+
￥0.195
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN61D9UW-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 340mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 50mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .4nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 28.5pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 320mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMN61D9UW-7手册
无数据
DMN61D9UW-7概述
产品概述：DMN61D9UW-7 N通道MOSFET
产品简介： DMN61D9UW-7 是一款由DIODES（美台）生产的高性能N通道MOSFET，采用SOT-323封装。该器件专为低功耗应用设计，适合在各种电子电路中广泛使用。其具有较低的导通电阻和宽广的工作温度范围，使其在半导体开关、电源管理和信号调节等方面都表现出色。
主要参数： DMN61D9UW-7的关键电气参数如下：
- 漏源电压（Vdss）：最高可达60V，适合中高电压电路应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C下可达340mA，适合用于各种负载驱动。
- 导通电阻（Rds(on)）：在5V Vgs下最大为2欧姆，确保在开关状态下的低功耗损耗。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大可达1V @ 250µA，帮助在较低的控制电压下快速开关。
- 栅极电荷（Qg）：最大0.4nC @ 4.5V，意味着在高频应用中具有较好的性能。
- 输入电容（Ciss）：在30V下最大28.5pF，提供良好的高频特性。
工作环境： DMN61D9UW-7具有极宽的工作温度范围，从-55°C到150°C，允许其在严苛的环境下稳定工作。这使得其在汽车电子、工业控制和消费电子等领域均能发挥作用，保持高可靠性。
封装与安装： 该器件采用SOT-323封装，具有小型化和表面贴装特性，适合高密度电路板设计。SOT-323封装不仅节省空间，还便于自动化生产和组装，适合现代电子设备的需求。
应用场景： DMN61D9UW-7可以广泛应用于多个领域，包括：
- 开关电源：作为高效开关元件，能够降低能量损耗并提高系统效率。
- 电机控制：在直流电机和步进电机驱动电路中，作为开关控制元件。
- 通信设备：在信号调节和功率放大中，可用作电子开关。
- 汽车电子：在电源管理系统中有效控制负载，如车灯、仪表等。
综合优势： DMN61D9UW-7的设计兼顾了电源效率和电路灵活性，具有较低的导通电阻和高耐压特性，展现出色的电气性能。通过采用N通道MOSFET技术，器件可以实现更高的开关速度，并降低在开关操作中产生的热量，进而提升系统的整体效能。因此，它是一款非常值得推荐的优质MOSFET，适用于要求高可靠性与高效能的应用场合。
总结来说，DMN61D9UW-7 MOSFET凭借其出色的参数和广泛的应用场景，为各种电子设计提供了可靠的解决方案。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制系统中，该器件都能够满足用户日益增长的需求。