DDTD123EC-7-F
DDTD123EC-7-F参数
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 2.2 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 39 @ 50mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
DDTD123EC-7-F手册
DDTD123EC-7-F概述
产品概述：DDTD123EC-7-F
1. 概述
DDTD123EC-7-F 是由美台（DIODES）生产的一款高性能数字晶体管，采用了表面贴装型封装（SOT-23-3）。该器件属于 NPN 预偏置类型，具有出色的电气性能，适用于各种低功耗数字电路和模拟电路的应用。
2. 特性
晶体管类型：NPN - 预偏置
最大集电极电流 (Ic)：500mA
集射极击穿电压 (Vce max)：50V
发射极电阻 (R2) 和 基极电阻 (R1)：都为 2.2 kΩ
最小直流电流增益 (hFE)：在 Ic = 50mA 时，hFE 为 39，工作条件为 5V
Vce 饱和压降 (最大)：在 Ib = 2.5mA 和 Ic = 50mA 的条件下，最大 Vce 饱和压降为 300mV
截止电流 (Ic(max))：500nA
频率特性：跃迁频率高达 200MHz
最大功率耗散 (Pmax)：200mW
3. 应用领域
DDTD123EC-7-F 的设计使其非常适合用于以下应用场合：
- 数字电路中的开关元件。
- 音频放大器和信号处理器。
- 开关电源和电源管理电路。
- 小型电子设备，如便携式音响、数码相机等。
- 其他低功耗控制电路。
其高达 200MHz 的频率响应使其在高频应用中表现出色，适合需要快速开关的电子设备。
4. 性能优势
- 高效能：DDTD123EC-7-F 的高 hFE 值和低 Vce 饱和压降使其在低功耗条件下仍能保持高效能。这对于电池供电的设备尤其重要。
- 稳定性：较高的击穿电压确保了在多种工作条件下的稳定性。
- 小型化设计：SOT-23-3 封装提供了小型化的选项，适用于现代电子设备的小型化趋势。
- 环境友好：设计符合环保标准，适用于要求环保的现代应用。
5. 结论
DDTD123EC-7-F 是一款集成了最新技术的 NPN 预偏压数字晶体管，提供了理想的性能参数，适合用于各种电子应用中。凭借其高频响应、低功耗特性以及多样的应用场景，DDTD123EC-7-F 为电子工程师提供了一个理想的选择，有助于优化他们的设计方案。无论是在工业自动化设备，还是在消费电子产品中，DDTD123EC-7-F 都能发挥重要作用，推动技术的进一步发展。
6. 应用示例
例如，在一个低功耗的蓝牙音频接收模块中，可以使用 DDTD123EC-7-F 作为信号开关，以实现高效的音频信号处理，并且由于其小型封装，能够节省 PCB 空间。同时，其高频特性使其在无线通信的应用中表现得更加优异，提升了接收和传输信号的质量。
在设计低功耗数字电路时，合理选择晶体管是至关重要的，DDTD123EC-7-F 无疑是一个优秀的选项，帮助工程师设计出更加高效、可靠的电子产品。