二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 85V |
电流 - 平均整流 (Io) | 75mA(DC) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 50mA |
速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | 反向恢复时间 (trr) | 4ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2µA @ 75V | 不同 Vr、F 时电容 | 1.5pF @ 0V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-523 |
供应商器件封装 | SOT-523 | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
BAS16T-7-F 产品概述
BAS16T-7-F是一款高性能的小信号开关二极管,采用SOT-523封装,适用于各种电子电路中的信号整流和开关应用。该二极管具有优异的电气特性和宽广的工作温度范围,能够满足高效、低功耗电路的需求。本文将从各个方面对BAS16T-7-F进行详细介绍,包括其电气特性、应用场景、封装信息以及选择该元件的优势。
工作电压与电流
BAS16T-7-F的最大直流反向电压(Vr)为85V,具备良好的耐压能力,适合在多种电源电压环境中稳定工作。同时,其平均整流电流(Io)可达到75mA,确保能够承受一定的负载电流。在正向电流为50mA时,正向电压(Vf)为1V,这对于需要低电压降的应用场景尤其有利。
反向恢复时间
该二极管的反向恢复时间(trr)为4ns,表明其在开关过程中的响应速度非常快,这一特性非常适合用于高频开关应用。用户在快速信号处理电路中的使用体验将得到显著提升。
反向泄漏电流
在工作时,BAS16T-7-F在75V的反向电压下反向泄漏电流仅为2µA,显示出其极佳的漏电性能,提高了电路的整体效率,尤其适合低功耗设计。
容抗特性
在0V和1MHz频率下,该二极管的电容为1.5pF,极低的电容值使其非常适合高速电路,减少信号失真和干扰,提高信号的准确性和可靠性。
BAS16T-7-F采用SOT-523小型封装,适合于表面贴装技术(SMT),节省了PCB空间,同时也便于自动化组装。这种封装形式的设计使得散热性能优越,有效降低了温升,从而提升了器件的长期稳定性和可靠性。
该二极管的工作结温范围广泛,涵盖-65°C到150°C,能在极端环境下正常工作。这一特性使得BAS16T-7-F能够应用于各种工业设备、汽车电子、消费电子和高温环境的电子产品中。
BAS16T-7-F二极管的应用非常广泛,主要包括但不限于以下领域:
由于其高效的电气性能和小巧的封装,BAS16T-7-F也非常适合用于便携式设备和高速电路设计,从而满足当今电子产品对于高性能和小尺寸的不断追求。
选择BAS16T-7-F的几大优势包括:
BAS16T-7-F是一款性能卓越的小信号开关二极管,以其卓越的电气特性、便捷的封装形式和广泛的适用场景,成为现代电子设计中的理想选择。无论是用于高频开关电源,还是在通信设备中用作信号整流器,BAS16T-7-F都将为您的设计提供强有力的支持。