MMST5401Q-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMST5401Q-7-F

商品编码: BM0127477680
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 150V 200mA PNP SOT-323
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.342
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.342
--
200+
¥0.22
--
1500+
¥0.192
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMST5401Q-7-F参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)150V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)60 @ 10mA,5V
功率 - 最大值200mW频率 - 跃迁300MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装SOT-323

MMST5401Q-7-F手册

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MMST5401Q-7-F概述

产品概述:MMST5401Q-7-F

1. 引言

MMST5401Q-7-F是一款低功耗、高性能的PNP晶体管,适用于多种电子电路应用。这款三极管以其优越的电气特性和广泛的工作温度范围,为设计工程师在高压和高频环境中的应用提供了可靠的选择。由于其SOT-323封装类型,MMST5401Q-7-F特别适合于表面贴装应用,能够满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。

2. 主要技术参数

  • 晶体管类型:PNP
  • 最大集电极电流(Ic):200mA
  • 最大集射极击穿电压(V(BR)CEO):150V
  • 饱和压降(Vce(sat)):500mV(在Ic = 5mA和50mA时)
  • 集电极截止电流(ICBO):最大值50nA
  • 直流电流增益(hFE):60(在Ic = 10mA和Vce = 5V下)
  • 最大功率:200mW
  • 跃迁频率:300MHz
  • 工作温度范围:-55°C至150°C
  • 封装类型:SOT-323

3. 应用领域

MMST5401Q-7-F广泛应用于需要高电流增益、低功耗和小型化设计的电子器件中。它可以在多种场景中发挥关键作用,包括但不限于:

  • 信号放大器:由于其良好的频率响应和增益特性,它非常适合用于音频和无线信号放大器。
  • 开关电路:得益于其较低的Vce(sat),MMST5401Q-7-F可有效用于开关电源和数字电路中的开关应用。
  • 电流源电路:在需要严格控制电流的应用中,该三极管可以承受较高的集电极电流,同时保持较低的截止电流。
  • 汽车电子:由于其宽广的工作温度范围,该元件在汽车电子设备中表现尤为出色,能够在极端环境下稳定工作。

4. 性能特征

MMST5401Q-7-F的设计确保其在多种应用中表现出优越的工作稳定性和长寿命:

  • 高耐压性能:150V的最大集射极击穿电压使其能够在高压电路中安全工作,保护后续电路元件免受过电压影响。
  • 低功耗特性:最大功耗仅为200mW,适合于对功耗敏感的应用,如便携设备。
  • 高频应用能力:300MHz的跃迁频率,使其能够在高频电路中使用,满足高速信号处理的需求。
  • 宽温适应性:-55°C至150°C的工作温度范围确保了MMST5401Q-7-F在各种行业应用中的可靠性,特别是在极端气候和工业环境中。

5. 安装与兼容性

MMST5401Q-7-F以SOT-323封装形式提供,该封装方式小巧且易于在现代电路中集成。其表面贴装设计使其能够在自动化生产线上方便地进行焊接,满足大规模生产的需求。此外,SOT-323封装的兼容性强,可以与多种PCB设计兼容,提升了设计灵活性。

6. 结论

总体而言,MMST5401Q-7-F是一个多功能、可靠的PNP晶体管选项,适合各种需要高电流增益和低功耗的应用。这款产品以其卓越的性能、耐压能力和宽温范围,能够满足现代电子设备对高效和稳定性能的要求,是设计工程师理想的选择。无论是在消费电子产品、通信设备还是工业控制应用中,MMST5401Q-7-F都将展现其出色的价值和应用潜力。