1N4935G-T 产品实物图片
1N4935G-T 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

1N4935G-T

商品编码: BM0127477678
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
DO-41
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
快恢复/高效率二极管 1.2V@1A 200V 5uA@200V 1A DO-41
库存 :
654(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.406
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.406
--
500+
¥0.27
--
2500+
¥0.235
--
5000+
¥0.21
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

1N4935G-T参数

二极管类型标准电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流 (Io)1A不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.2V @ 1A
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)反向恢复时间 (trr)200ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5µA @ 200V安装类型通孔
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向供应商器件封装DO-41
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C

1N4935G-T手册

1N4935G-T概述

产品概述:1N4935G-T 快速恢复二极管

一、产品简介

1N4935G-T是一款高效率的快速恢复二极管,适用于各种低功耗、高频率的整流应用。其兼具优良的电气特性和可靠的工作性能,深受设计工程师的青睐。该元器件由美台(DIODES)公司制造,具有良好的市场口碑和广泛的应用场景,适合用于开关电源、逆变器、伺服驱动及其他电子电路中对整流性能有较高要求的场合。

二、主要参数

  • 二极管类型:标准
  • 最大反向电压 (Vr):200V
  • 平均整流电流 (Io):1A
  • 正向电压 (Vf):1.2V @ 1A
  • 速度:快速恢复,反向恢复时间 (trr) 为200ns,适用于大于200mA的应用
  • 反向泄漏电流:5µA @ 200V
  • 工作温度范围:-65°C ~ 150°C
  • 封装类型:DO-41(轴向封装)

三、电气性能

1N4935G-T的正向电压在1A时为1.2V,使其在整流和开关应用中具有相对较低的功耗。此外,快速恢复特性使得1N4935G-T能够在高频开关操作中稳定工作,特别是在PWM(脉宽调制)和高频率直流转换电路中,能够有效地减少能量损耗和热量产生。

四、封装与安装

1N4935G-T采用DO-41轴向封装类型,具有良好的散热性能和机械强度。这种封装设计使得该二极管易于传输热量,有助于降低电路中的工作温度,从而提升产品安全性和可靠性。通孔安装设计,使其与PCB板连接更加稳定,适合各种电路板应用。

五、应用场景

1N4935G-T广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源:在转换器中作为整流和滤波元件。
  2. 逆变电路:用于提供反向电流保护或进出电流整流。
  3. 伺服驱动系统:在电机驱动应用中实现快速反应和高效整流。
  4. LED驱动:用于低压LED驱动电路中的有效整流。
  5. 电池充电器:在多种电池充电器应用中提供安全和高效的整流。

六、优势与特色

  • 高效率:优良的正向电压特性,无论是在高压应用还是在高频条件下均能表现良好。
  • 高频性能:快速恢复时间使其适合高频电路,降低开关损耗。
  • 低反向泄漏:即使在200V反向电压下,该二极管的反向泄漏电流仅为5µA,保证了应用的高安全性和高效能。
  • 宽工作温度范围:广泛的工作温度范围使其在恶劣环境下稳定运行,适合各种工业与消费电子应用。

七、结论

综合以上信息,1N4935G-T以其卓越的电气性能和可靠的工作特性,是一种理想的选择,适合众多电子产品的设计需求。无论是在开关电源、逆变器还是其他高频应用中,该二极管都能有效提高电路的整体性能。通过选择1N4935G-T,工程师们能够更好地满足高效率、低功耗和高可靠性的设计目标,为电子产品的升级打下稳固基础。