二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 200V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.2V @ 1A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 200ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 200V | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 | 供应商器件封装 | DO-41 |
工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
1N4935G-T是一款高效率的快速恢复二极管,适用于各种低功耗、高频率的整流应用。其兼具优良的电气特性和可靠的工作性能,深受设计工程师的青睐。该元器件由美台(DIODES)公司制造,具有良好的市场口碑和广泛的应用场景,适合用于开关电源、逆变器、伺服驱动及其他电子电路中对整流性能有较高要求的场合。
1N4935G-T的正向电压在1A时为1.2V,使其在整流和开关应用中具有相对较低的功耗。此外,快速恢复特性使得1N4935G-T能够在高频开关操作中稳定工作,特别是在PWM(脉宽调制)和高频率直流转换电路中,能够有效地减少能量损耗和热量产生。
1N4935G-T采用DO-41轴向封装类型,具有良好的散热性能和机械强度。这种封装设计使得该二极管易于传输热量,有助于降低电路中的工作温度,从而提升产品安全性和可靠性。通孔安装设计,使其与PCB板连接更加稳定,适合各种电路板应用。
1N4935G-T广泛应用于以下领域:
综合以上信息,1N4935G-T以其卓越的电气性能和可靠的工作特性,是一种理想的选择,适合众多电子产品的设计需求。无论是在开关电源、逆变器还是其他高频应用中,该二极管都能有效提高电路的整体性能。通过选择1N4935G-T,工程师们能够更好地满足高效率、低功耗和高可靠性的设计目标,为电子产品的升级打下稳固基础。