制造商 | Diodes Incorporated | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.6 欧姆 @ 500mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 370mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss) | 50V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.6nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 46pF @ 25V |
产品概述
DMN53D0LQ-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,专为汽车及工业应用设计,符合 AEC-Q101 标准,确保其在严苛环境下的可靠性与稳定性。该器件集成了多项先进的技术特性,使其在多种电力控制和信号切换应用中具有优越表现。
技术特点
电流和电压规格
DMN53D0LQ-13 的连续漏极电流 (Id) 可达 500mA,且其漏源电压 (Vdss) 为 50V,适用于需要中等电流和电压的场合。此外,该器件的驱动电压 (Vgs) 可达 ±20V,具备良好的灵活性以适应不同的工作环境。
导通电阻与效率
在 10V 的栅源电压条件下,DMN53D0LQ-13 的最大导通电阻 (Rds(on)) 为 1.6 欧姆,这意味着在运行过程中能有效减少能量损耗,提高整体电路的能效。这对于要求高效率的电源管理及驱动电路应用尤为重要。
阈值电压
该器件的栅源阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 1.5V @ 250µA,意味着该 MOSFET 能在较低电压下迅速导通,适合低电压操作的电路设计。
栅极电荷和输入电容
DMN53D0LQ-13 的最大栅极电荷 (Qg) 为 0.6nC @ 4.5V,同时输入电容 (Ciss) 在25V下为 46pF。这些特性使其在高频开关应用中表现卓越,有助于降低开关损耗并改善开关速度,适合高频率的控制场合。
温度范围与功率处理
此 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,适应极端的工作温度环境,具有较强的温度包容性。因此,DMN53D0LQ-13 非常适合长期运行于严苛或高温环境下的汽车应用。此外,其最大功率耗散能力为 370mW,确保在高负载情况下的稳定性。
封装与安装类型
DMN53D0LQ-13 采用 SOT-23 封装,适合表面贴装型 (SMD) 设计,体积小巧,便于在紧凑的电路板上安装。其封装设计也有助于良好的散热性能,确保器件在高功率和高温运行时的安全性和稳定性。
应用领域
由于其优异的电气特性和强大的耐用性,DMN53D0LQ-13 最适合以下应用场景:
总结
作为 Diodes Incorporated 推出的高效 N 通道 MOSFET,DMN53D0LQ-13 以其卓越的电源管理能力、广泛的应用潜力和环境适应性,为设计工程师提供了一种理想的解决方案。无论是在电动汽车、自动驾驶系统还是其他高要求的电子设备中,DMN53D0LQ-13 都能展现出优良的性能,帮助用户实现更高的电路效率与安全性。其在汽车行业的应用潜力进一步证明了其在现代电子设计中的重要价值。