DMN2990UFB-7B
DMN2990UFB-7B参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 780mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250A | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .41nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 31pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 520mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X1-DFN1006-3 |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |
DMN2990UFB-7B手册
DMN2990UFB-7B概述
DMN2990UFB-7B 产品概述
简介
DMN2990UFB-7B 是由美台（DIODES）公司生产的一款 N 通道金属氧化物场效应管（N-Channel MOSFET），其以高效能和高可靠性著称，适用于各种电子应用，包括开关电源、电机驱动和负载开关等。D类的 MOSFET 以其出色的电流承载能力、优异的导通特性和宽工作温度范围，使其成为现代电子电路中不可或缺的元件之一。
主要规格参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 780mA @ 25°C
- 驱动电压: 最大 Rds On：1.8V，最小 Rds On：4.5V
- 导通电阻（Rds On）: 最大990毫欧（@ 100mA，4.5V条件下测得）
- 临界栅极电压（Vgs(th)）: 最大1V @ 250A
- 栅极电荷（Qg）: 最大0.41nC @ 4.5V
- 最大栅极源极电压（Vgs）: ±8V
- 输入电容（Ciss）: 最大31pF @ 15V
- 功率耗散: 最大520mW（Ta条件下）
- 工作温度范围: 从-55°C 到 150°C
- 封装类型: 表面贴装型 (X1-DFN1006-3)
产品特点
DMN2990UFB-7B MOSFET 的设计特点使其在各种应用场合中展现出卓越性能：
高效率: 低导通电阻(Rds On)和低栅极电荷(Qg)参数在实际应用中都能有效降低导通损耗，提高整体效率表现。
灵活的应用范围: 由于其20V的漏源电压及高达780mA的连续漏极电流能力，DMN2990UFB-7B 可广泛用于低压高流应用场合，如充电器、电源管理系统和DC-DC转换器。
宽工作温度范围: 其工作温度范围覆盖-55°C到150°C，确保在极端环境下也能保持优良的性能，适合汽车、工业控制及军事应用等要求严格的场景。
小型化设计: 采用3-UFDFN封装，体积小、重量轻，适合高密度电子设备的设计需求，尤其是便携式设备和智能控制系统。
易于驱动: 该 MOSFET 的栅极驱动电压需求相对较低，最大驱动电压为4.5V，可与逻辑电平（如TTL或CMOS电平）兼容，便于与微控制器和其他数字电路相接。
应用领域
DMN2990UFB-7B 适用于多种应用，包括：
- 开关电源: 在开关电源中，MOSFET 可用作主要的开关元件，以提高能量转换效率。
- 电机驱动: 在直流电机及步进电机驱动电路中，MOSFET 作为快速开关元件，提供精确控制。
- 负载开关: 适用于负载开关电路，可高效控制电路的电源分配。
- 电池管理系统: 在锂电池管理和充电应用中，该MOSFET用于实现电流的精确控制。
总结
综上所述，DMN2990UFB-7B 是一款高性能的N 通道MOSFET，在特定应用中表现出色，具备低损耗、高效率和小型化的优点。其广泛的工作温度范围和灵活的驱动电压使其成为电子设计工程师在各种电源管理和负载控制项目中的理想选择。无论是在消费电子、工业、汽车还是航空航天领域，DMN2990UFB-7B 都为高效稳定的电路设计提供了可靠的解决方案。