安装类型 | 通孔 | 不同 Vr、F 时电容 | 110pF @ 4V,1MHz |
二极管类型 | 肖特基 | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 550mV @ 1A |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 30V | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 125°C |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1mA @ 30V |
1N5818-T 是一个广泛使用的肖特基二极管,专为高效能电源管理与整流应用设计。作为肖特基二极管,其具有极低的正向压降和快速开关速度,使其非常适合在节能、快速反转的电路方案中使用。该产品由 DIODES(美台)公司生产,采用 DO-41 封装,具有良好的耐热性和出色的电气性能,能够满足多种应用需求。
电流和电压参数:
速度特性:
工作温度范围:
电容量特征:
1N5818-T 肖特基二极管的应用场景多种多样,主要包括但不限于:
开关电源: 其低正向压降和快速恢复特性使其成为开关电源电路中的理想选择,能够有效降低功耗,提高系统效率。
整流电路: 在整流应用中,1N5818-T 的高整流效率和低泄漏电流表现出色,可以用于实现高性能的整流方案,尤其是在高频照明和电动机驱动电路中。
电池管理系统: 在电池充电和放电过程中,肖特基二极管能够有效保护电池免受反向电流的影响,同时确保较少的能量损失。
电源线保护: 适用于过电压和反向电流保护,保障敏感器件的安全,使其在复杂电路环境中保持正常工作。
使用 1N5818-T 的主要优点包括:
低能耗: 正向压降低的特性使得在高负载情况下其能耗最小化,大幅度提高了电源的整体效率。
高频响应: 其快速恢复时间对于高频率操作至关重要,特别是在需要频繁开关的应用场合。
广泛的温度范围: 宽广的工作温度范围使其适合在多种环境中运行,保障了其在极端条件下的可靠性。
简单的集成: DO-41 封装容易与其他组件集成,广泛应用于现代电子产品的设计中。
1N5818-T 肖特基二极管凭借其优异的性能和广泛的适应性,成为市场上极受欢迎的电路保护组件之一。适用于电源管理、整流器、LED 驱动电源、充电器以及各类电源线保护应用,能够有效提高电子产品的整体性能和安全性。对于那些需要高效能及可靠性的电路设计师而言,1N5818-T 是一个值得信赖的选项。