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DMN2300UFD-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
X1DFN12123
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 470mW 20V 1.21A 1个N沟道 X1-DFN1212-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.588按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.588
--
200+
￥0.379
--
1500+
￥0.33
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2300UFD-7参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.21A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 900mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 470mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X1-DFN1212-3 |
| 封装/外壳 | 3-UDFN | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 67.62pF @ 25V |
DMN2300UFD-7手册
无数据
DMN2300UFD-7概述
DMN2300UFD-7 产品概述
1. 产品简介
DMN2300UFD-7 是一款高性能 N 通道 MOSFET，由 Diodes Incorporated 制造。该器件专为多种应用设计，具备优异的电流处理能力和低导通电阻，适用于需要高效率和可靠性的现代电子产品。其工作温度范围广泛，能够在极端环境条件下稳定运行，成为高频开关、电源管理及其他功率控制应用的理想选择。
2. 主要参数
制造商: Diodes Incorporated
封装类型: X1-DFN1212-3
产品类别: 表面贴装型 (SMD) MOSFET
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
额定电流: 支持 1.21A 的连续漏极电流（Id）在 25°C 的工作环境中。
导通电阻 (Rds(on)): 最大 200 毫欧 @ 4.5V 和 900mA 的应用情况，显示出其优异的电流传输能力。
栅极源电压 (Vgs): 可承受 ±8V 的栅极电压，保证在不同驱动条件下正常工作。
漏源电压 (Vdss): 最高可达 20V，适用于多种低至中电压应用。
功率耗散: 最大功率耗散值为 470mW（在 25°C 环境下），提供灵活的功率管理。
工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围，使其适用于严格的工业环境及汽车电子设备。
3. 电气特性
- 漏电流 (Id): 在不同的栅极驱动电压 (Vgs) 条件下, 该器件能以高性能完成电流控制，特别适合于负载开关应用。
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 950mV @ 250µA，表示该 MOSFET 能够在较低的驱动电压下有效开启，降低了整机的功耗。
- 栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 2nC @ 4.5V，确保了快速开关性能。
- 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 67.62pF @ 25V，提升了开关频率性能，适合高频操作。
4. 应用领域
DMN2300UFD-7 的高效能使其适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理: 可在开关电源和DC-DC转换器中使用，有助于提高能效和减少功率损耗。
- 负载开关: 适合用于消费电子、工业设备和家电产品中的开关控制。
- 高频开关电路: 在射频应用和音频功放中，凭借其低电压损失特性，能够有效提升性能。
- 汽车电子: 能够在高温和严苛的工作条件下表现出色，满足汽车电子产品的需求。
5. 结论
DMN2300UFD-7 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，适合各种应用。其超凡的电气性能和广泛的工作范围，搭配高集成度的封装形式，使其成为了现代电子设备中电源管理和信号传输的重要器件。随着小型化和高效化趋势的不断深入，选择 DMN2300UFD-7 将为您的设计提供强大的技术支持和更高的市场竞争力。