晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 100 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 100 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 82 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
DDC115EU-7-F 是一款由美台(DIODES)公司制造的数字晶体管,具备两个NPN晶体管的预偏置设计。这种结构使得 DDC115EU-7-F 在数字电路中获得了良好的控制特性和优异的功率效率。该器件采用SOT-363封装,适合于表面贴装型(SMD)应用,广泛用于各种小型电子产品和电路模块。
基本电气特性:
增益和饱和特性:
电流 - 集电极截止: 500 nA 的最大值,保证了在关闭状态下低漏电流。
DDC115EU-7-F采用SOT-363封装,这种小型封装设计适合于空间有限的电子设备。它在多种领域中都能找到广泛的应用,如:
采用DDC115EU-7-F可以为设计提供以下优势:
综上所述,DDC115EU-7-F是一款高性能的数字晶体管,凭借其出色的电气特性和紧凑的封装设计,适用于各种要求严格的电子应用。无论是在数字信号处理、消费类电子还是汽车电子领域,DDC115EU-7-F都能为工程师提供可靠的选择,满足高效、低功耗的设计需求。