DDC115EU-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDC115EU-7-F

商品编码: BM0127477667
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-363
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.463
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.463
--
200+
¥0.299
--
1500+
¥0.26
--
3000+
¥0.231
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDC115EU-7-F参数

晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)100 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)100 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)82 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363

DDC115EU-7-F手册

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DDC115EU-7-F概述

DDC115EU-7-F 产品概述

1. 产品简介

DDC115EU-7-F 是一款由美台(DIODES)公司制造的数字晶体管,具备两个NPN晶体管的预偏置设计。这种结构使得 DDC115EU-7-F 在数字电路中获得了良好的控制特性和优异的功率效率。该器件采用SOT-363封装,适合于表面贴装型(SMD)应用,广泛用于各种小型电子产品和电路模块。

2. 主要参数

基本电气特性:

  • 电流 - 集电极 (Ic): 最大值为100 mA,满足大多数基本数字和模拟应用的需求。
  • 电压 - 集射极击穿 (Vce): 最大值达到50 V,保证了在高电压条件下的可靠运行。
  • 功率 - 最大值: 200 mW,适合用于功率受限的微型电路。
  • 频率 - 跃迁: 达到250 MHz,使其在高频应用中表现出色。

增益和饱和特性:

  • DC电流增益 (hFE): 在5 mA的集电极电流和5 V的条件下,最小值为82。这意味着DDC115EU-7-F能够实现良好的信号放大能力。
  • 饱和压降 (Vce): 最大值为300 mV,适用于500 µA的基极电流和10 mA的集电极电流,确保了在高频操作时的快速开关特性。

电流 - 集电极截止: 500 nA 的最大值,保证了在关闭状态下低漏电流。

3. 电阻器配置

  • 基极电阻 (R1): 100 kΩ,这一高阻值的设计可以提供足够的输入信号敏感度,同时在基极偏置时可以减少功耗。
  • 发射极电阻 (R2): 100 kΩ,能够有效降低温度漂移并提供稳定的工作条件,对提高器件的线性度和稳定性具有重要意义。

4. 封装与应用

DDC115EU-7-F采用SOT-363封装,这种小型封装设计适合于空间有限的电子设备。它在多种领域中都能找到广泛的应用,如:

  • 数字电路设计: 在需要数字信号处理的电路中可做信号放大与开关。
  • 消费电子产品: 包括智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
  • 汽车电子: 可用于车辆的传感器和控制电路,提升汽车电子系统的性能。

5. 设计优势

采用DDC115EU-7-F可以为设计提供以下优势:

  • 高频响应: 250 MHz的频率响应使其特别适合现代高速航向数字系统的需求。
  • 节能设计: 更低的饱和压降和集电极截止电流提供了更高的能效,降低了电池供电设备的功耗。
  • 可靠性: 优选的电压和电流范围在多变的环境条件下确保了器件的长期稳定工作。

6. 结论

综上所述,DDC115EU-7-F是一款高性能的数字晶体管,凭借其出色的电气特性和紧凑的封装设计,适用于各种要求严格的电子应用。无论是在数字信号处理、消费类电子还是汽车电子领域,DDC115EU-7-F都能为工程师提供可靠的选择,满足高效、低功耗的设计需求。