2N7002TQ-7-F
2N7002TQ-7-F参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 115mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
2N7002TQ-7-F手册
2N7002TQ-7-F概述
产品概述：2N7002TQ-7-F N通道MOSFET
2N7002TQ-7-F 是一种高效能的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），专为多种应用而设计，尤其是需要较低电压和电流的电子电路。这款元器件的主要参数包括漏源电压（Vdss）为 60V、连续漏极电流（Id）为 115mA，具有良好的性能稳定性和可靠性。其额定功率可达 150mW，广泛适用于开关和放大电路。
主要特性
漏源电压（Vdss）: 2N7002TQ-7-F 可承受的最大漏源电压为 60V，这使其能够应用在各种电源和 PWM 控制电路中，适应性强。
连续漏极电流（Id）: 该器件最大的连续漏极电流为 115mA（在 25°C 环境温度下），能够在小型电子设备中承载相对较大的电流负载，适合用于电机控制、驱动电路和低功耗开关电源。
导通电阻（Rds On）: 在 10V 的驱动电压下，最大导通电阻可达 13.5Ω，适合高频开关应用的同时，降低功率损耗，提升整体电效率。
工作温度范围: 其工作温度范围为 -55°C 到 150°C，确保在极端环境下的可靠性，适合航空航天、汽车电子及工业应用等高要求场景。
输入电容（Ciss）: 在 25V 下，不同 Vds 时的最大输入电容为 50pF，这意味着其能够快速响应和开关，提升信号传输的效率。
最大驱动电压: Vgs 的最大值为 ±20V，确保能够兼容宽范围的控制电压信号，减少电路设计的复杂度。
封装与安装
2N7002TQ-7-F 的封装类型为 SOT-523，这一小型表面贴装封装设计，适合高密度 PCB 板的设计与布线。其紧凑的封装形式不仅节省了板面积，还便于自动化贴装，降低生产成本。
应用领域
由于具备优越的电气特性和可靠性，2N7002TQ-7-F 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源: 作为高效开关元件，提高电源转换效率，对电源电路稳定性有显著提升。
- 信号放大器: 可用作信号放大应用，提供良好的增益和线性度，适用在音频及 RF 放大器中。
- 电机驱动: 在低功耗电机控制中，作为驱动元件使用，确保快速开关，同时降低热损耗。
- 便携式设备: 由于其低功率特性，适用在各种便携式设备中，提升电池续航能力。
总结
2N7002TQ-7-F 是一种高效能的小型 N 通道 MOSFET，具备良好的可靠性和兼容性，适用于多种低电压和低电流应用场景。它的设计旨在满足现代电子设备对高效率、低功耗和高密度集成的需求。对于开发者和工程师而言，选择 2N7002TQ-7-F 可以有效提升产品性能，同时简化设计流程，是高性能电子设计中不可或缺的重要元器件。