MMBD4448V-7
MMBD4448V-7参数
| 二极管配置 | 2 个独立式 | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 250mA | 二极管类型 | 标准 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 80V | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 70V | 反向恢复时间 (trr) | 4ns |
MMBD4448V-7手册
MMBD4448V-7概述
产品概述：MMBD4448V-7
基本信息
MMBD4448V-7 是一款由 DIODES（美台）公司生产的高性能开关二极管，配置为两个独立的二极管，适用于表面贴装方式（SMD），其封装类型为 SOT-563。这款二极管的设计旨在满足现代电子设备对高效率、低功耗和优异性能的要求，广泛应用于通信、消费电子和自动化设备中。
电气特性
平均整流电流 (Io)：每个二极管的平均整流电流为 250mA，这意味着它能够在稳态工作条件下承受较高的电流，适合用于多种电源和信号处理电路。
正向电压 (Vf)：在 150mA 的正向电流时，MMBD4448V-7 的正向电压为 1.25V，这个值相对较低，能够在低电压下实现高效率的电流传输，减少能量损耗，适合用于需要高效率的电源应用。
反向电压 (Vr)：该二极管的最大反向工作电压达到 80V，这使得它能够在高压环境中可靠操作，从而满足各种应用要求，如电源保护和信号整形。
反向漏电流：在 70V 的反向电压下，反向泄漏电流仅为 100nA，这意味着该二极管在关断状态下不会引起显著的功耗，提高了电路的整体效率和可靠性。
快速恢复特性：该器件的反向恢复时间（trr）为 4ns，适合快速开关应用，能够提高开关频率并降低开关损耗，尤其在大直流电流反转时表现尤为优异。
工作温度和可靠性
MMBD4448V-7 的工作温度范围为 -65°C 至 150°C，涵盖了广泛的工业和消费应用环境。这一特性确保了其在极端温度下的可靠性能，适合用于航空航天、汽车电子及高温工业设备等领域。
应用领域
MMBD4448V-7 被广泛应用于以下场景：
- 开关电源：它在开关电源中充当整流器，能够有效地将交流电转化为直流电，同时提高了电源的效率。
- 信号整形：在信号处理电路中，MMBD4448V-7 可以用于波形整形和反向偏置保护，确保信号传输的完整性和稳定性。
- 电源保护：其高反向电压能力允许它作为不同电源电路的保护装置，防止过压和反向电流对电路造成损伤。
封装与安装
MMBD4448V-7 使用 SOT-563 封装，尺寸紧凑，适合高密度电路板设计。表面贴装型的设计使得它便于自动化焊接，提高了生产效率，且使得器件在电路板上的布局更加灵活，符合现代电子产品小型化趋势。
结论
总体而言，MMBD4448V-7 是一款功能强大、特性卓越的开关二极管，具备高整流电流、低正向电压、高反向电压和快速恢复特性，适合多个电子应用领域。其高温工作范围和可靠性，使其成为用户需求的理想选择。通过其出色的性能和设计灵活性，MMBD4448V-7 旨在为现代电子设计提供高效且可靠的解决方案。