BSS84WQ-7-F
BSS84WQ-7-F参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 45pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
BSS84WQ-7-F手册
BSS84WQ-7-F概述
BSS84WQ-7-F 产品概述
一、基本介绍
BSS84WQ-7-F 是一款高性能 P 通道 MOSFET，采用 SOT-323 封装，广泛应用于各种电子电路中。作为一种场效应晶体管，这款产品具有低导通电阻和较高的功率处理能力，非常适合用于低电压和低功率的场合。
该产品的主要规格包括漏源电压 (Vdss) 高达 50V，以及在 25°C 的连续漏极电流 (Id) 为 130mA。其设计考虑了多种应用场景，能够在恶劣的环境下保持优良的工作性能。BSS84WQ-7-F 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，确保了其在各种条件下的可靠性和长寿命。
二、技术特点
低导通电阻 (Rds On): BSS84WQ-7-F 在 5V 的驱动电压下，具备较低的导通电阻，具体数值为最大 10Ω，尤其在 100mA 的工作电流下表现良好。这一特性使其在高频和高效率的开关电源、功率放大器及信号放大器等应用中表现出色。
阈值电压 (Vgs(th)): 该 MOSFET 的阈值电压 (Vgs(th)) 最大为 2V @ 1mA，保证了在较低的控制电压下能够有效地开启，从而增强了电路的灵活性。
输入电容 (Ciss): BSS84WQ-7-F 的输入电容在不同 Vds 下最大为 45pF @ 25V，这一低电容值对于高速开关应用至关重要，有助于降低开关损耗，提升整体系统效率。
功率耗散: 产品的最大功率耗散为 200mW（Ta），使其能够处理较高的功率同时防止过热，提升了器件的可靠性。
三、应用领域
BSS84WQ-7-F 广泛应用于以下领域：
开关电源: 在电源供应电路中，MOSFET 可以用于开关控制，提供有效的电流管理和降低开关损耗。
信号切换: 在音频、视频和数据传输中，低导通电阻的特性使得 BSS84WQ-7-F 可在信号切换电路中迅速开启和关闭，确保信号质量。
电子负载: BSS84WQ-7-F 可用于电子负载的设计中，使得负载调节更加精准和高效。
直流电机控制: 该器件在电机驱动电路中表现良好，能够有效控制电机的启动和停止。
四、设计考虑
在设计以 BSS84WQ-7-F 为核心的电路时，需要注意以下几点：
驱动电压: 确保 Vgs 周期内保持在额定范围内，以避免对器件造成损伤。
散热管理: 虽然该器件具有较高的功率耗散能力，但在高负载条件下还是应加入必要的散热设计，以提高系统的稳定性。
输入保护: 在受到快速变化电压的情况下，需考虑在器件输入端设置适当的保护电路，以延长器件的使用寿命。
五、总结
BSS84WQ-7-F 是一款高性价比的P通道MOSFET，适合用于各种对功率和效率要求较高的电子设计中。其优越的电气性能和广泛的应用领域，使其成为许多电子工程师和设计师的首选。该元器件不仅能够满足高效电源需求，还能够在极端温度下稳定工作，是现代电子设计中不可或缺的重要组成部分。