BAS70TWQ-7-F
BAS70TWQ-7-F参数
| 二极管配置 | 3 个独立式 | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 70V | 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 70mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 15mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间 (trr) | 5ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 50V |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 125°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | SOT-363 |
BAS70TWQ-7-F手册
BAS70TWQ-7-F概述
BAS70TWQ-7-F 产品概述
一、产品简述
BAS70TWQ-7-F 是由知名的电子元件制造商 DIODES（美台）生产的一款高性能肖特基二极管。该器件采用了封装形式为 SOT-363，适合面贴装（SMD）技术，提供三个独立的肖特基二极管，具有低正向压降和快速恢复特性，广泛应用于小信号整流、高频开关电路及保护电路中。
二、产品特点
低正向压降
BAS70TWQ-7-F 的正向压降（Vf）在 15mA 时为 1V，这个特性使其在低电源电压工作条件下表现优越，能够有效减少功耗，提高整体电路效率。高峰值反向电压
本产品的峰值反向电压（Vr）可达到 70V，适用于电源整流、过压保护和信号调制等多种应用，确保在高电压环境下也能安全可靠地工作。较高的整流电流能力
每个二极管的平均整流电流 （Io） 达到 70mA，适合用于低功率和高频电路，为设计师提供了足够的灵活性。快速响应速度
BAS70TWQ-7-F 的反向恢复时间（trr）仅为 5ns，这使得该二极管在高频应用领域表现优异，能够快速响应信号变化，减少延迟。极小的反向泄漏电流
在 50V 的条件下，反向泄漏电流（Ir）仅为 100nA，这表明其在静态状态下的损耗极小，能够提高电路的稳定性及可靠性。宽工作温度范围
该器件的结温范围为 -55°C 至 125°C，使其适用于工业级和汽车级等恶劣环境下的应用场景，保障长期稳定运行。
三、应用领域
BAS70TWQ-7-F 由于其优秀的电气特性和封装形式，适用范围广泛，包括但不限于：
- 电源管理：用于电源整流和高频开关电源中，以优化能效及提高转换速度。
- 信号保护：在信号路径中提供过压保护，防止由于突发电流而导致的信号失真或设备损坏。
- RF 电路：其快反恢复特性，使其成为无线通信和射频电路中的理想选择，能够处理高速信号。
- 小信号整流：适合用于小信号整流电路，尤其在要求低压降和快速响应的场合，如音频信号处理和传感器接口等。
四、封装与安装
BAS70TWQ-7-F 采用 SOT-363 （6-TSSOP）封装，体积小、重量轻，有利于在高密度 PCB 的设计中节省空间。这种表面贴装型的安装方式，能够实现自动化焊接，提高生产效率，并确保了良好的电气性能和热管理。
五、总结
BAS70TWQ-7-F 是一款集高性能与高可靠性于一身的肖特基二极管，适合在各种苛刻条件下使用，满足工业和消费电子市场对于小型化、高效能电子元器件的需求。无论是在电源管理、信号处理，还是高频应用中，它均能提供优良的性能表现，是设计师在开发电路时的理想选择。通过利用这款器件，电子产品能够在功率和能效之间达到更好的平衡，为客户提供一致的性能和可靠性。