FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 750mA(Ta),600mA(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 450mOhm @ 600mA,4.5V,750mOhm @ 430mA,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 600pC,700pC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 42pF,49pF @ 16V |
功率 - 最大值 | 290mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
DMC2710UDW-7 是一种高效能的互补型场效应管(MOSFET),它由一个 N 沟道和一个 P 沟道的 MOSFET 组成,特别设计用于支持广泛的电子应用。在20V的漏源电压范围内,该器件能够提供高达750mA的连续漏极电流(Id),使其成为推动低功耗应用的理想选择。DMC2710UDW-7的表面贴装型设计(SOT-363封装)不仅提升了PCB的设计灵活性,也让产品在自动化生产过程中简化了组装。
DMC2710UDW-7 具有广泛的应用场景。其高效的导通特性和较低的导通电阻使其适合用于以下领域:
DMC2710UDW-7 是一款具备先进技术和卓越性能的互补型MOSFET。其出色的导电能力、广泛的应用范围和灵活的封装设计,使其成为电子设计工程师在实现高效能电路方案时的重要选择。无论是在电源管理,汽车电子还是消费电子领域,DMC2710UDW-7 都展现出其卓越优势,值得信赖。