DMP2045U-13
DMP2045U-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.8nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 634pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 800mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMP2045U-13手册
DMP2045U-13概述
DMP2045U-13 产品概述
基本信息
DMP2045U-13 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为多种电源管理和开关应用设计，具有优异的电气性能和温度稳定性。该器件的主要参数包括漏源电压最高可达 20V，最大连续漏极电流为 4.3A，使用范围广泛，适合在各类电子产品中实施电源控制、电流调节以及开关管理。
技术特点与参数
漏源电压 (Vdss): DMP2045U-13 的漏源电压额定值为 20V，确保了其在中等电压开关应用中的可靠性。适用于需要耐压能力的电路设计，例如汽车电子和消费电子。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，该器件的最大连续漏极电流可达 4.3A。这意味着它能够在规定的条件下处理较大的负载电流，支持更多的电源管理应用。
导通电阻 (Rds On): DMP2045U-13 在栅极驱动电压为 4.5V 时，最大导通电阻为 45 毫欧，显示出极低的功耗特性。这使得在开关操作中，器件的发热量最小化，提高整体能效，延长系统的使用寿命。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的条件下，栅极阈值电压的最大值为 1V，意味着该器件能够在相对低的电压下实现开关控制，对低功耗设备特别重要。
驱动电压: 该器件支持的最大栅电压为 ±8V，这使得它能够兼容多种控制电路设计，并有效防止可能的过电压损坏。
栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 驱动下，栅极电荷最大为 6.8nC，表明其在开关速度方面表现出色，适合快速切换的应用场景。
输入电容 (Ciss): 输入电容为 634pF（在 10V 条件下），这保证了更快的响应时间，并提升整体电路的快速切换能力。
功率耗散: 最大功率耗散为 800mW，表明该 MOSFET 能够在高负载运行条件下，维持稳定的工作性能。同时，它的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保了它可以在严苛环境下安全运行。
封装与应用
DMP2045U-13 采用 SOT-23 表面贴装封装，其小体积设计可以节省空间，适合高密度布板需求。这种封装方式使其在多个行业（如汽车电子、消费电子、工业自动化等）中都可以得到广泛应用。
典型应用
- 电源管理: 作为开关元件用于 DC-DC 转换器、线性稳压器和电池供电管理。
- 负载开关: 其低 Rds On 特性适合用作高侧或低侧开关，控制高电流负载。
- 信号开关: 在数据或信号传输中，提供高效的开关能力以减少信号损失。
封装与兼容性
DMP2045U-13 的封装符合 SOT-23 标准，能够与市面上多数 PCB 板设计兼容，方便集成进多种电子设备。
总结
DMP2045U-13 是一款具有优越电气性能的 P 通道 MOSFET，设计上注重高效能和低功耗，能够满足多样化的电子产品需求。无论是在电源管理、负载控制还是信号开关，DMP2045U-13 都能为工程师提供高效、稳定的解决方案，是现代电子设计中的理想选择。